[發(fā)明專利]光電傳感裝置及電子設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710709052.X
• 申請日: 2017-08-17
• 公開（公告）號: CN107958194B
• 公開（公告）日: 2021-11-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李問杰
• 申請（專利權(quán)）人: 柳州梓博科技有限公司
• 主分類號: G06K9/00
• 分類號: G06K9/00;H04M1/02;G06F1/16
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種光電傳感裝置，其特征在于：包括一半導(dǎo)體基板，所述半導(dǎo)體基板包括相對設(shè)置的第一表面和第二表面，所述半導(dǎo)體基板的第一表面上形成多個感光像素，所述半導(dǎo)體基板的第二表面上形成多個朝所述第一表面貫通至所述感光像素的感光面所在位置的通孔，且所述通孔與所述感光像素對應(yīng)。

2.如權(quán)利要求1所述的光電傳感裝置，其特征在于：所述感光像素包括至少一感光器件，且所述感光器件的感光面與所述通孔對應(yīng)設(shè)置。

3.如權(quán)利要求1所述的光電傳感裝置，其特征在于：所述半導(dǎo)體基板為預(yù)定厚度的硅片。

4.如權(quán)利要求3所述的光電傳感裝置，其特征在于：所述半導(dǎo)體基板由硅片經(jīng)過減薄處理至預(yù)定厚度而形成。

5.如權(quán)利要求1所述的光電傳感裝置，其特征在于：所述通孔通過在半導(dǎo)體基板上刻蝕形成。

6.如權(quán)利要求5所述的光電傳感裝置，其特征在于：所述通孔采用氣體刻蝕或離子束刻蝕形成。

7.如權(quán)利要求1所述的光電傳感裝置，其特征在于：所述通孔均勻分布。

8.如權(quán)利要求1所述的光電傳感裝置，其特征在于：所述通孔內(nèi)填充透明材料。

9.如權(quán)利要求2所述的光電傳感裝置，其特征在于：每一感光器件對應(yīng)多個所述通孔。

10.如權(quán)利要求1-9任一項所述的光電傳感裝置，其特征在于：所述第二表面上設(shè)有濾光膜，所述濾光膜用于將預(yù)設(shè)波段以外的光信號過濾。

11.如權(quán)利要求10所述的光電傳感裝置，其特征在于：所述預(yù)設(shè)波段為藍、綠光信號對應(yīng)的波段。

12.如權(quán)利要求1所述的光電傳感裝置，其特征在于：所述光電傳感裝置還包括一封裝殼體，所述封裝殼體用于將所述半導(dǎo)體基板以及所述感光像素進行封裝。

13.如權(quán)利要求1所述的光電傳感裝置，其特征在于：所述光電傳感裝置為指紋傳感裝置。

14.如權(quán)利要求1所述的光電傳感裝置，其特征在于：所述光電傳感裝置為感光芯片，用于感測生物特征信息。

15.一種電子設(shè)備，其特征在于：包括如權(quán)利要求1-14任一項所述的光電傳感裝置。