[發(fā)明專利]一種半橋式MMC子模塊及其上開關管短路保護方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710709010.6
• 申請日: 2017-08-17
• 公開（公告）號: CN107529683A
• 公開（公告）日: 2018-01-02
• 發(fā)明（設計）人: 范彩云;夏克鵬;姚釗;胡學彬;王昊午;宣佳卓;陸翌;裘鵬;喬敏;童凱
• 申請（專利權）人: 許繼電氣股份有限公司;許繼集團有限公司;國網浙江省電力公司;國網浙江省電力公司電力科學研究院;國家電網公司
• 主分類號: H02M1/32
• 分類號: H02M1/32;H02M7/00;H02M7/5387;H02J3/36
• 代理公司: 鄭州睿信知識產權代理有限公司41119
• 代理人: 陳浩

1.一種半橋式MMC子模塊，包括上開關管、下開關管、旁路開關和直流支撐電容，其特征在于，還包括并聯在直流支撐電容兩端的至少一條耗能支路，所述耗能支路上串設至少一個有耗能電阻和至少一個在上開關管發(fā)生短路故障時導通的可控開關。

2.根據權利要求1所述的半橋式MMC子模塊，其特征在于，所述可控開關為晶閘管、IGBT、IGCT或者GTO。

3.一種實施如權利要求1所述的半橋式MMC子模塊的上開關管短路保護方法，其特征在于，包括如下步驟：

檢測上開關管是否發(fā)生短路故障；

若發(fā)生短路故障，控制可控開關導通。

4.根據權利要求3所述的半橋式MMC子模塊的上開關管短路保護方法，其特征在于，在直流支撐電容的電壓值低于安全閾值時控制旁路開關閉合。

5.根據權利要求3或4所述的半橋式MMC子模塊的上開關管短路保護方法，其特征在于，所述可控開關為晶閘管、IGBT、IGCT或者GTO。