[發明專利]真空規連接組件和半導體設備有效
| 申請號: | 201710707688.0 | 申請日: | 2017-08-17 |
| 公開(公告)號: | CN109411385B | 公開(公告)日: | 2022-05-27 |
| 發明(設計)人: | 張鵬 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;G01L9/00 |
| 代理公司: | 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315 | 代理人: | 李秋華 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 真空 連接 組件 半導體設備 | ||
1.一種真空規連接組件,用于將真空規與反應腔室密閉連通,其特征在于,所述真空規連接組件包括依次連接的連接管、收集件和開關閥,所述連接管用于連通所述反應腔室和所述收集件,并向所述收集件引入所述反應腔室內的氣流,所述收集件用于收集所述氣流中的顆粒雜質,所述開關閥用于連接所述真空規和所述收集件,以控制所述真空規與所述反應腔室之間的通斷;
所述連接管與所述收集件的貫通方向、所述收集件與所述開關閥的貫通方向、所述開關閥與所述真空規的貫通方向之間兩兩相互垂直;
所述收集件包括本體和設置在所述本體內的收集腔;
所述開關閥的與所述收集腔的連接位置位于所述本體的頂壁,所述連接管與所述收集腔的連接位置處于所述本體的側壁上,且遠離所述本體的頂壁。
2.根據權利要求1所述的真空規連接組件,其特征在于,所述收集腔的內徑與所述連接管的內徑之比為8:1~10:1。
3.根據權利要求1所述的真空規連接組件,其特征在于,所述收集件的容積與所述連接管的容積之比為10:1~15:1。
4.根據權利要求1所述的真空規連接組件,其特征在于,所述收集件包括收集部和止擋部,所述收集部呈筒狀,所述收集部的頂部開口與所述開關閥連通,所述收集部的底部開口設置有所述止擋部,且所述止擋部與所述收集部可拆卸連接。
5.根據權利要求4所述的真空規連接組件,其特征在于,所述真空規連接組件還包括卡箍,所述卡箍套設在所述止擋部和所述收集部的外側,以連接所述止擋部和所述收集部。
6.根據權利要求1至5任意一項所述的真空規連接組件,其特征在于,所述開關閥包括角閥。
7.根據權利要求1至6任意一項所述的真空規連接組件,其特征在于,所述真空規連接組件還包括加熱件,所述加熱件套設在所述連接管的外部。
8.一種半導體設備,包括反應腔室、真空規連接組件和真空規,其特征在于,所述真空規連接組件包括權利要求1至7任意一項所述的真空規連接組件。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





