[發(fā)明專利]一種OLED像素驅(qū)動(dòng)電路及像素驅(qū)動(dòng)方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710707276.7
• 申請(qǐng)日: 2017-08-17
• 公開（公告）號(hào): CN107301842A
• 公開（公告）日: 2017-10-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳小龍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G09G3/3233
• 分類號(hào): G09G3/3233
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙)44300
• 代理人: 黃威

1.一種OLED像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括：

第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、第六薄膜晶體管、電容以及有機(jī)發(fā)光二極管；

所述第五薄膜晶體管的柵極接入第三掃描信號(hào)，所述第五薄膜晶體管的源極接入電源正電壓，所述第五薄膜晶體管的漏極分別與所述第三薄膜晶體管的漏極以及所述第一薄膜晶體管的源極連接；

所述第三薄膜晶體管的柵極接入第一掃描信號(hào)，所述第三薄膜晶體管的源極接入數(shù)據(jù)電壓；

所述第一薄膜晶體管的柵極分別與所述第二薄膜晶體管的源極以及所述電容的一端連接，所述電容的另一端接地；所述第四薄膜晶體管的源極與所述電容的一端連接，所述第四薄膜晶體管的漏極與所述電容的另一端連接；所述第四薄膜晶體管的柵極接入第二掃描信號(hào)；

所述第二薄膜晶體管的柵極接入第一掃描信號(hào)，所述第二薄膜晶體管的漏極與所述第一薄膜晶體管的漏極以及所述第六薄膜晶體管的漏極連接；

所述第六薄膜晶體管的柵極接入第三掃描信號(hào)，所述第六薄膜晶體管的源極與所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極連接，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陰極接入電源負(fù)電壓。

2.如權(quán)利要求1所述的OLED像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜晶體管、所述第三薄膜晶體管、所述第四薄膜晶體管、所述第五薄膜晶體管以及所述第六薄膜晶體管均為低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管以及非晶硅薄膜晶體管中的一種。

3.如權(quán)利要求1所述的OLED像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第一掃描信號(hào)、所述第二掃描信號(hào)以及所述第三掃描信號(hào)均通過(guò)外部時(shí)序控制器產(chǎn)生。

4.如權(quán)利要求1所述的OLED像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜晶體管、所述第三薄膜晶體管、所述第四薄膜晶體管、所述第五薄膜晶體管以及所述第六薄膜晶體管均為P型薄膜晶體管。

5.如權(quán)利要求4所述的OLED像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第一掃描信號(hào)、所述第二掃描信號(hào)以及所述第三掃描信號(hào)相組合，先后對(duì)應(yīng)于初始化階段、閾值電壓存儲(chǔ)階段以及發(fā)光顯示階段；

在所述初始化階段，所述第一掃描信號(hào)和所述第三掃描信號(hào)為高電位，所述第二掃描信號(hào)為低電位；

在所述閾值電壓存儲(chǔ)階段，所述第一掃描信號(hào)為低電位，所述第二掃描信號(hào)和所述第三信號(hào)都為高電位；

在所述發(fā)光顯示階段，所述第一掃描信號(hào)和所述第二掃描信號(hào)都為高電位，所述第三掃描信號(hào)為低電位。