[發(fā)明專利]一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710707163.7 | 申請日: | 2017-08-17 |
| 公開(公告)號: | CN107425017B | 公開(公告)日: | 2020-11-27 |
| 發(fā)明(設計)人: | 王念念;熊永;張祥;陳虞龍 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;重慶京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭潤湘 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本發(fā)明公開了一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置,包括:襯底基板,位于襯底基板的陣列基板行驅動GOA區(qū)域的晶體管;晶體管包括第一柵金屬層、第一柵絕緣層、第一有源層、第一源漏金屬層和第一保護層,其中,第一源漏金屬層用于形成源極、漏極和數(shù)據(jù)信號線;其中,源極與數(shù)據(jù)信號線通過第一導電部件連接;第一導電部件在第一柵金屬層上的正投影對應的第一柵金屬層具有鏤空圖案。一旦源極與第一柵金屬層發(fā)生短路,通過移除第一導電部件即可解決短路問題,并且由于第一導電部件在第一柵金屬層上的正投影對應的第一柵金屬層具有鏤空圖案,因此在移除第一導電部件的同時不會形成第一源漏金屬層與第一柵金屬層熔接導致的新短路不良。
技術領域
本發(fā)明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置。
背景技術
隨著顯示技術的飛速發(fā)展,顯示面板呈現(xiàn)出了高集成度和低成本的發(fā)展趨勢。其中,GOA(Gate Driver on Array,陣列基板行驅動)技術將TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶體管)柵極開關電路集成在顯示面板的陣列基板上以形成對顯示面板的掃描驅動,從而可以省去柵極集成電路(IC,Integrated Circuit)的綁定(Bonding)區(qū)域以及扇出(Fan-out)區(qū)域的布線空間,不僅可以在材料成本和制作工藝兩方面降低產品成本,而且可以使顯示面板做到兩邊對稱和窄邊框的美觀設計;并且,這種集成工藝還可以省去柵極掃描線方向的綁定工藝,從而提高了產能和良率。
然而,采用GOA的產品結構復雜,線路密集,源漏金屬層與柵極金屬層極易發(fā)生短路,造成GOA不良;特別是柵金屬層和源漏金屬層采用銅(Cu)制作的產品而言,更易形成顆粒(Particle),進而導致GOA單元發(fā)生短路。由于現(xiàn)有GOA產品中柵金屬層與源漏金屬層上下交疊設計,在使用激光切割不良點進行維修時,容易導致柵金屬層與源漏金屬層熔接形成新的短路不良,因此一旦出現(xiàn)GOA不良,現(xiàn)有技術難以修復,整塊面板將報廢處理,造成了極大的經(jīng)濟損失,例如,針對目前8.5代線產品而言,一般GOA相關不可修復不良在0.5%左右,引起的經(jīng)濟損失在500萬/百萬片。
發(fā)明內容
有鑒于此,本發(fā)明實施例提供一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置,可以提高GOA不良維修成功率,降低經(jīng)濟損失。
因此,本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板,包括:襯底基板,位于所述襯底基板的陣列基板行驅動GOA區(qū)域的晶體管;所述晶體管包括第一柵金屬層、第一柵絕緣層、第一有源層、第一源漏金屬層和第一保護層,其中,所述第一源漏金屬層用于形成源極、漏極和數(shù)據(jù)信號線;
所述源極與所述數(shù)據(jù)信號線通過第一導電部件連接;
所述第一導電部件在所述第一柵金屬層上的正投影對應的所述第一柵金屬層具有鏤空圖案。
在一種可能的實現(xiàn)方式中,在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中,所述源極、所述數(shù)據(jù)信號線與所述第一導電部件為一體結構。
在一種可能的實現(xiàn)方式中,在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中,還包括:位于所述襯底基板的顯示區(qū)域的像素電極;且所述像素電極所在層位于所述第一保護層背離所述襯底基板一側;
所述第一導電部件與所述像素電極同層設置。
在一種可能的實現(xiàn)方式中,在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中,所述第一保護層具有與所述源極對應的第一過孔,以及與所述數(shù)據(jù)信號線對應的第二過孔;
所述第一過孔和所述第二過孔內分別填充有部分所述第一導電部件。
在一種可能的實現(xiàn)方式中,在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中,還包括:位于所述GOA區(qū)域且與所述晶體管連接的電容交疊元件;所述電容交疊元件包括:與所述第一柵金屬層同層設置的第二柵金屬層,與所述第一柵絕緣層同層設置的第二柵絕緣層,與所述第一源漏金屬層同層設置的第二源漏金屬層,以及與所述第一保護層同層設置的第二保護層;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





