[發明專利]發光二極管封裝結構及其制作方法在審
| 申請號: | 201710706738.3 | 申請日: | 2012-06-13 |
| 公開(公告)號: | CN107293536A | 公開(公告)日: | 2017-10-24 |
| 發明(設計)人: | 葉寅夫;潘科豪 | 申請(專利權)人: | 億光電子工業股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/075 | 分類號: | H01L25/075;H01L33/48;H01L33/50 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司31100 | 代理人: | 駱希聰 |
| 地址: | 中國臺灣新*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光二極管 封裝 結構 及其 制作方法 | ||
1.一種發光二極管封裝結構,包括:
一承載器,具有一承載區,以及一圍繞該承載區的周邊區;
多個發光二極管芯片,配置于該承載器的該承載區內,且電性連接至該承載器;
一第一環形擋墻,配置于該承載器的該周邊區內,且圍繞該些發光二極管芯片;
一第二環形擋墻,配置于該第一環形擋墻的內側,且圍繞該些發光二極管芯片,其中該第二環形擋墻的高度低于該第一環形擋墻的高度,且高于該發光二極管芯片的高度;以及
一膠體,配置于該承載器上且至少覆蓋該發光二極管芯片與該第二環形擋墻;
其中該第一環形擋墻和該第二環形擋墻皆具有不吸光且具有反射功能的特性。
2.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構,其特征在于,該第一環形擋墻與第二環形擋墻之間具有一間距,且在該承載器上定義一凹槽。
3.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構,其特征在于,該承載器與該第一環形擋墻或該第二環形擋墻一體成型。
4.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構,其特征在于,該第一環形擋墻或該第二環形擋墻為一不連續的環形擋墻。
5.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構,還包括:
多個條形擋墻,配置于該承載器上且連接該第二環形擋墻,其中所述條形擋墻與該第二環形擋墻在該承載器上定義出多個格子狀凹槽,而所述發光二極管芯片設置于所述格子狀凹槽內。
6.一種發光二極管封裝結構,包括:
一承載器,具有一承載區,以及一圍繞該承載區的周邊區;
至少一個發光二極管芯片,配置于該承載器的該承載區內,且電性連接至該承載器;
一第一環形擋墻,配置于該承載器的該周邊區內,且圍繞該發光二極管芯片;
一第二環形擋墻,配置于該第一環形擋墻的內側,該第二環形擋墻與該第一環形擋墻之間具有一間隙,且在承載器上定義出一凹槽;以及
一螢光膠體,配置于該承載器上且至少覆蓋該發光二極管芯片,其中該螢光膠體包括至少一種螢光粉及至少一種膠體,且該螢光粉分布于該間隙內。
7.如權利要求6所述的發光二極管封裝結構,其特征在于,該承載器與該第一環形擋墻或該第二環形擋墻一體成型。
8.如權利要求6所述的發光二極管封裝結構,其特征在于,該第一環形擋墻或該第二環形擋墻為一不連續的環形擋墻。
9.如權利要求6所述的發光二極管封裝結構,其特征在于,各條形擋墻的高度低于該環形擋墻的高度。
10.如權利要求6所述的發光二極管封裝結構,還包括:
多個條形擋墻,配置于該承載器上且連接該第二環形擋墻,其中所述條形擋墻與該第二環形擋墻在該承載器上定義出多個格子狀凹槽,而所述發光二極管芯片設置于所述格子狀凹槽內。
11.如權利要求1至10任一項中所述的發光二極管封裝結構,其特征在于,各發光二極管芯片是透過倒裝焊技術與該承載器電性連接。
12.如權利要求1至10任一項中所述的發光二極管封裝結構,其特征在于,各發光二極管芯片是透過打線接合技術與該承載器電性連接。
13.如權利要求1至10任一項中所述的發光二極管封裝結構,其特征在于,該承載器的材質包括陶瓷、高分子聚合物或金屬。
14.如權利要求1至5任一項中所述的發光二極管封裝結構,其特征在于,該第一環形擋墻的材質與該第二環形擋墻的材質包括硅、氧化硅、氮化硼、有機高分子材料或金屬。
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