[發(fā)明專利]一種掩膜版、顯示基板及其制作方法和顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710706686.X | 申請日: | 2017-08-17 |
| 公開(公告)號: | CN107463064B | 公開(公告)日: | 2021-03-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉超;魏雄周;萬彬;彭元鴻;熊強(qiáng);黎敏 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;重慶京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/50 | 分類號: | G03F1/50;G02F1/13;G02F1/1339 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人: | 劉偉;胡影 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 掩膜版 顯示 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板的制作方法,其特征在于,包括:
形成預(yù)設(shè)膜層;
采用掩膜版對所述預(yù)設(shè)膜層進(jìn)行構(gòu)圖,形成預(yù)設(shè)膜層圖形;所述掩膜版包括:多個(gè)環(huán)狀的半透光圖形,所述半透光圖形的形狀和尺寸與需要形成在所述顯示基板上的輔隔墊物頂部表面的預(yù)設(shè)外環(huán)區(qū)域的形狀和尺寸匹配;所述預(yù)設(shè)膜層圖形包括對應(yīng)所述半透光圖形的環(huán)形凹槽;所述顯示基板為彩膜基板,所述預(yù)設(shè)膜層圖形為黑矩陣圖形,所述掩膜版還包括:多個(gè)全透光圖形和不透光圖形;
所述顯示基板的制作方法包括:
形成遮光材料膜層,所述遮光材料膜層為所述預(yù)設(shè)膜層;
在所述遮光材料膜層上形成光刻膠層;
采用所述掩膜版對所述光刻膠層進(jìn)行曝光并顯影,形成對應(yīng)所述不透光圖形的光刻膠全保留區(qū),對應(yīng)所述半透光圖形的光刻膠半保留區(qū)和對應(yīng)所述全透光圖形的光刻膠全去除區(qū);
對所述光刻膠全去除區(qū)的遮光材料膜層進(jìn)行刻蝕;
對所述光刻膠半保留區(qū)的光刻膠層進(jìn)行灰化;
對所述光刻膠半保留區(qū)的遮光材料膜層進(jìn)行刻蝕,形成包括環(huán)形凹槽的黑矩陣圖形;
剝離所述光刻膠全保留區(qū)的光刻膠層,露出所述黑矩陣圖形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板的制作方法,其特征在于,所述形成預(yù)設(shè)膜層圖形之后,還包括:
形成絕緣材料膜層;
采用半透膜型掩膜版對所述絕緣材料膜層進(jìn)行構(gòu)圖,形成隔墊物,所述隔墊物包括主隔墊物和輔隔墊物,所述輔隔墊物頂部表面的預(yù)設(shè)外環(huán)區(qū)域在所述預(yù)設(shè)膜層圖形上的正投影與所述環(huán)形凹槽重合。
3.一種顯示基板的制作方法,其特征在于,包括:
形成預(yù)設(shè)膜層;
采用掩膜版對所述預(yù)設(shè)膜層進(jìn)行構(gòu)圖,形成預(yù)設(shè)膜層圖形;所述掩膜版包括:多個(gè)不透光圖形和半透光圖形,所述不透光圖形的形狀和尺寸與需要形成在所述顯示基板上的輔隔墊物頂部表面的預(yù)設(shè)中部區(qū)域的形狀和尺寸匹配;所述預(yù)設(shè)膜層圖形包括對應(yīng)所述不透光圖形的凸起;
所述顯示基板為彩膜基板,所述預(yù)設(shè)膜層圖形為黑矩陣圖形,所述掩膜版還包括:多個(gè)全透光圖形;
所述顯示基板的制作方法包括:
形成遮光材料膜層;
在所述遮光材料膜層上形成光刻膠層;
采用所述掩膜版對所述光刻膠層進(jìn)行曝光并顯影,形成對應(yīng)所述不透光圖形的光刻膠全保留區(qū),對應(yīng)所述半透光圖形的光刻膠半保留區(qū)和對應(yīng)所述全透光圖形的光刻膠全去除區(qū);
對所述光刻膠全去除區(qū)的遮光材料膜層進(jìn)行刻蝕;
對所述光刻膠半保留區(qū)的光刻膠層進(jìn)行灰化;
對所述光刻膠半保留區(qū)的遮光材料膜層進(jìn)行刻蝕,形成包括凸起的黑矩陣圖形;
剝離所述光刻膠全保留區(qū)的光刻膠層,露出所述黑矩陣圖形。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示基板的制作方法,其特征在于,所述形成預(yù)設(shè)膜層圖形之后,還包括:
形成絕緣材料膜層;
采用半透膜型掩膜版對所述絕緣材料膜層進(jìn)行構(gòu)圖,形成隔墊物,所述隔墊物包括主隔墊物和輔隔墊物,所述輔隔墊物頂部表面的預(yù)設(shè)中部區(qū)域在所述預(yù)設(shè)膜層圖形上的正投影與所述凸起重合。
5.一種顯示基板,其特征在于,采用如權(quán)利要求1-2任一項(xiàng)所述的方法制作而成,包括:
預(yù)設(shè)膜層圖形,所述預(yù)設(shè)膜層圖形包括環(huán)形凹槽,所述環(huán)形凹槽的形狀和尺寸與需要形成在所述顯示基板上的輔隔墊物頂部表面的預(yù)設(shè)外環(huán)區(qū)域的形狀和尺寸匹配。
6.一種顯示基板,其特征在于,采用如權(quán)利要求3-4任一項(xiàng)所述的方法制作而成,包括:
預(yù)設(shè)膜層圖形,所述預(yù)設(shè)膜層圖形包括凸起,所述凸起的形狀和尺寸與需要形成在所述顯示基板上的輔隔墊物頂部表面的預(yù)設(shè)中部區(qū)域的形狀和尺寸匹配。
7.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求5或6所述的顯示基板。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備





