[發(fā)明專利]一種高反饋系數(shù)高增益的乘法數(shù)模轉(zhuǎn)換器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710706620.0
• 申請(qǐng)日: 2017-08-17
• 公開（公告）號(hào): CN107483052B
• 公開（公告）日: 2019-11-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 唐鶴;牛勝普;高昂;何生生;車來(lái)晟
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H03M1/10
• 分類號(hào): H03M1/10;H03M1/66
• 代理公司: 51232 成都點(diǎn)睛專利代理事務(wù)所(普通合伙)
• 代理人: 葛啟函<國(guó)際申請(qǐng)>=<國(guó)際公布>=<進(jìn)入

1.一種高反饋系數(shù)高增益的乘法數(shù)模轉(zhuǎn)換器，包括兩組開關(guān)電容陣列、運(yùn)算放大器和負(fù)反饋電容(C_f)，所述兩組開關(guān)電容陣列分別連接所述運(yùn)算放大器的同相輸入端和反相輸入端，所述負(fù)反饋電容(C_f)接在所述運(yùn)算放大器的反相的輸入端和輸出端之間，所述運(yùn)算放大器的輸出端作為所述乘法數(shù)模轉(zhuǎn)換器的輸出端；

所述開關(guān)電容陣列包括串聯(lián)的電容組和開關(guān)組，所述電容組的另一端連接所述運(yùn)算放大器的同相輸入端或反相輸入端；

所述電容組包括多個(gè)并聯(lián)的電容，所述開關(guān)組包括多個(gè)第一采樣開關(guān)(S₁)、第二采樣開關(guān)(S₂)和數(shù)字碼控制開關(guān)(V_adc)；

所述電容組中的所有電容通過(guò)第一采樣開關(guān)(S₁)后連接輸入電壓(V_in)；

所述電容組中的一個(gè)電容通過(guò)第二采樣開關(guān)(S₂)后連接共模電壓(VCM)，其余電容依次通過(guò)第二采樣開關(guān)(S₂)和數(shù)字碼控制開關(guān)(V_adc)后連接參考電壓(Vref)；

所述運(yùn)算放大器的輸出端通過(guò)一個(gè)第一采樣開關(guān)(S₁)接地，其同相輸入端和反相輸入端分別通過(guò)一個(gè)提前關(guān)斷開關(guān)(S_1a)接地；

其特征在于，所述乘法數(shù)模轉(zhuǎn)換器還包括正反饋電容(C1)，所述正反饋電容(C1)接在所述運(yùn)算放大器的同相的輸入端和輸出端之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高反饋系數(shù)高增益的乘法數(shù)模轉(zhuǎn)換器，其特征在于，所述運(yùn)算放大器包括第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第一電阻(R1)和第二電阻(R2)，

第一NMOS管(MN1)和第二NMOS管(MN2)的柵極作為所述運(yùn)算放大器的差分輸入端，第一NMOS管(MN1)和第二NMOS管(MN2)的漏極作為所述運(yùn)算放大器的差分輸出端；

第一NMOS管(MN1)的源極連接第二NMOS管(MN2)的源極和第三NMOS管(MN3)的漏極，第一NMOS管(MN1)的漏極連接第一PMOS管(MP1)的漏極并通過(guò)第一電阻(R1)和第二電阻(R2)的串聯(lián)結(jié)構(gòu)后接第二PMOS管(MP2)和第二NMOS管(MN2)的漏極；第一電阻(R1)和第二電阻(R2)的串聯(lián)點(diǎn)連接第一PMOS管(MP1)和第二PMOS管(MP2)的柵極，第一PMOS管(MP1)和第二PMOS管(MP2)的源極接電源電壓；第三NMOS管(MN3)的柵極接偏置電壓，其源極接地。