[發(fā)明專利]與光刻及其他應(yīng)用中的超紫外輻射聯(lián)用的材料、組件以及方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710706564.0
• 申請日: 2013-01-18
• 公開（公告）號: CN107367900A
• 公開（公告）日: 2017-11-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘇普瑞亞·杰斯瓦爾
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇普瑞亞·杰斯瓦爾
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;G03F7/20
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司31100
• 代理人: 錢慰民

本申請是申請日為2013年1月18日、申請?zhí)枮?01380014923.6，題為“與光刻及其他應(yīng)用中的超紫外輻射聯(lián)用的材料、組件以及方法”的申請的分案申請。

相關(guān)申請

本申請是提交于2012年1月19日的題為“Materials,Components,and Methods for Use with Extreme Ultraviolet Radiation in Lithography&Other Applications(與光刻及其他應(yīng)用中的超紫外輻射聯(lián)用的材料、組件以及方法)”的美國臨時申請第61/588601號的非臨時申請，該美國臨時申請的公開內(nèi)容通過引用全文包括于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及與光刻及其他應(yīng)用中的超紫外輻射聯(lián)用的材料、組件以及方法。

背景技術(shù)

光刻系統(tǒng)通常被用于制造例如器件。此類系統(tǒng)的分辨能力與曝光波長成比例。因此，較短的波長能改善制造中的分辨度。超紫外光刻(EUVL)使用超紫外(EUV)波長(近似120納米至0.1納米)上的電磁輻射。相應(yīng)地，這些波長上的光子具有近似10電子伏特(eV)至12.4keV(分別對應(yīng)124nm和0.1nm)范圍內(nèi)的能量。超紫外波長可通過諸如等離子體和同步加速器光源來人工地生成。使用EUV波長進(jìn)行光刻在諸如半導(dǎo)體芯片等器件以及諸如聚合物電子器件、太陽能電池、生物技術(shù)、醫(yī)療技術(shù)等其他應(yīng)用中具有減小特征尺寸的潛在優(yōu)勢。在EUV波長上，用于形成例如反光鏡、透鏡、光刻膠等光刻系統(tǒng)的組件的材料變得重要。然而，大多數(shù)材料對于EUV波長上的輻射具有高吸收率。在EUV波長上這些材料中的較高吸收降低了EUV光刻系統(tǒng)的性能。例如，EUV光刻系統(tǒng)可能需要更高的功率源來克服此吸收。

發(fā)明內(nèi)容

本公開一般涉及與諸如光刻(EUVL)或其他應(yīng)用中的紫外(UV)、超紫外(EUV)和軟X射線輻射聯(lián)用的材料、設(shè)備、裝置以及方法。更具體地但并非排他性地，本公開涉及用在UV、EUV和軟X射線應(yīng)用中的材料和組件、以及此類材料和組件的制造方法以及此類材料和組件在使用EUV輻射的裝置、設(shè)備、和系統(tǒng)中的使用方法。

在某些實(shí)施例中，本公開涉及可在曝光系統(tǒng)中使用的元件，其中該系統(tǒng)或子系統(tǒng)包括發(fā)射具有波長的光的光源。該元件可包括具有多個結(jié)構(gòu)特征的材料。這多個結(jié)構(gòu)特征可將該元件對于所選波長的反射率改善至大于70％。

在另一實(shí)施例中，本公開涉及可在曝光系統(tǒng)中使用的元件。該系統(tǒng)或子系統(tǒng)可包括發(fā)射具有波長的光的光源。該元件可包括具有多個結(jié)構(gòu)特征的材料。這多個結(jié)構(gòu)特征可將該元件對于所選波長的透射率改善至大于4％。

在另一實(shí)施例中，本公開涉及可在曝光系統(tǒng)中使用的元件。該系統(tǒng)或子系統(tǒng)可包括發(fā)射具有波長的光的光源。該元件可包括具有多個結(jié)構(gòu)特征的材料。這多個結(jié)構(gòu)特征可控制對于所選波長的電磁輻射吸收。

在一些實(shí)施例中，該曝光系統(tǒng)可包括光刻工具、生物技術(shù)系統(tǒng)、掃描或成像系統(tǒng)、天文系統(tǒng)、材料處理系統(tǒng)或者印刷系統(tǒng)。