[發明專利]一種LED芯片及提高LED芯片發光效率的方法

在審

• 申請號: 201710705737.7
• 申請日: 2017-08-17
• 公開（公告）號: CN107369745A
• 公開（公告）日: 2017-11-21
• 發明（設計）人: 陳慶;司文彬;曾軍堂
• 申請（專利權）人: 成都新柯力化工科技有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/22;H01L33/44
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種提高LED芯片發光效率的方法，其特征在于，包括以下步驟：

A、在LED襯底上依次外延生長N型摻雜GaN層、多量子阱層和P型摻雜GaN層，蒸鍍形成負極和正極，其中，負極形成在刻蝕后暴露的N型摻雜GaN層上，正極形成在P型摻雜GaN層上；

B、強轟擊刻蝕步驟和弱刻蝕步驟，所述強轟擊刻蝕步驟中刻蝕氣體中粒子的自由程小于所述常規刻蝕步驟中刻蝕氣體中粒子的自由程，和/或，所述強轟擊刻蝕步驟中刻蝕氣體中粒子的轟擊能量高于所述常規刻蝕步驟中刻蝕氣體中粒子的轟擊能量；

C、在LED芯片的表面涂覆隔熱透明材料。

2.根據權利要求1所述的提高LED芯片發光效率的方法，其特征在于，所述強轟擊刻蝕步驟中刻蝕氣體的壓力為5mT～18mT，所述常規刻蝕步驟中刻蝕氣體的壓力為1.2mT～6mT。

3.根據權利要求1所述的提高LED芯片發光效率的方法，其特征在于，所述強轟擊刻蝕步驟中的下電極功率為150W～220W，所述常規刻蝕步驟中的下電極功率為50W～120W。

4.根據權利要求1所述的提高LED芯片發光效率的方法，其特征在于，所述強轟擊刻蝕步驟和所述常規刻蝕步驟中，上電極功率均為200W～500W，刻蝕氣體均包括氯氣和三氯化硼，氯氣的流量均為70sccm～100sccm，三氯化硼的流量均為8sccm～25sccm，刻蝕時間均為5min。

5.根據權利要求1~4任意一項所述的提高LED芯片發光效率的方法，其特征在于，所述LED芯片為N型外延層、P型外延層、N型P型混合外延層中的一種，其摻雜濃度范圍為1×10¹³～1×10¹⁸cm^-3。

6.根據權利要求5所述的提高LED芯片發光效率的方法，其特征在于，所述LED芯片的晶型為4H-SiC或6H-SiC。

7.根據權利要求1所述的提高LED芯片發光效率的方法，其特征在于，所述隔熱透明材料為聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚4-甲基-1-戊烯、聚丙烯酸酯、透明環氧樹脂、馬來酸酐改性碳酸酯、烯丙基二甘醇二碳酸酯、苯乙烯-丙烯腈共聚物等中的至少一種。

8.一種LED芯片，其特征在于，根據權利要求1~7中任意一項所述的提高LED芯片發光效率的方法制備得到。

9.根據權利要求8所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片的表面具有半球狀凸起，所述凸起的表面覆蓋有透明隔熱層。