[發(fā)明專利]基于反錐形波導(dǎo)的三模式復(fù)用器/解復(fù)用器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710705191.5 | 申請日: | 2017-08-17 |
| 公開(公告)號: | CN107490829B | 公開(公告)日: | 2019-12-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳偉偉;汪鵬君;楊甜軍;李仕琪;魯昊;楊建義 | 申請(專利權(quán))人: | 寧波大學(xué) |
| 主分類號: | G02B6/293 | 分類號: | G02B6/293 |
| 代理公司: | 33226 寧波奧圣專利代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人: | 方小惠 |
| 地址: | 315211 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 錐形波導(dǎo) 多模波導(dǎo) 耦合 基模 單模波導(dǎo) 解復(fù)用器 模式復(fù)用 實(shí)際器件 制備過程 傳輸 大帶寬 大容差 低串?dāng)_ 二階模 反錐形 可控性 波導(dǎo) 一階 轉(zhuǎn)化 兼容 制作 | ||
本發(fā)明公開了一種基于反錐形波導(dǎo)的三模式復(fù)用器/解復(fù)用器,包括多模波導(dǎo)、單模波導(dǎo)、第一S彎曲波導(dǎo)、第二S彎曲波導(dǎo)、第一錐形波導(dǎo)、第二錐形波導(dǎo)、第三錐形波導(dǎo)、第四錐形波導(dǎo)、第五錐形波導(dǎo)和第六錐形波導(dǎo),當(dāng)基模從第一S彎曲波導(dǎo)輸入,則該模式沿著第一S彎曲波導(dǎo)傳輸,經(jīng)第二錐形波導(dǎo)耦合,激勵并轉(zhuǎn)化成多模波導(dǎo)中的二階模,當(dāng)基模從第二S彎曲波導(dǎo)輸入,則該模式沿著第二S彎曲波導(dǎo)、第四錐形波導(dǎo)傳輸,經(jīng)第五錐形波導(dǎo)耦合,激勵并轉(zhuǎn)化成多模波導(dǎo)中的一階模;優(yōu)點(diǎn)是具備低串?dāng)_,大帶寬和大容差等特性,且可采用商業(yè)化兼容CMOS工藝制作得到,成本較低,在實(shí)際器件制備過程中更具有可控性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種復(fù)用器/解復(fù)用器,尤其是涉及一種基于反錐形波導(dǎo)的三模式復(fù)用器/解復(fù)用器。
背景技術(shù)
隨著并行計(jì)算核芯數(shù)量的增加用以提高芯片處理器的整體性能,在核與核以及核與儲存器之間通信所需的帶寬成為關(guān)鍵挑戰(zhàn)之一。硅基光互連由于大容量以及與CMOS制備工藝相兼容等特點(diǎn)為實(shí)現(xiàn)高效的互連提供了一個較有前景的解決方案。之前,有很多的傳統(tǒng)方法用于提升傳輸容量,比如波分復(fù)用(WDM)、偏振分復(fù)用(PDM)和多級調(diào)制。而模分復(fù)用(MDM)利用新物理維度,可進(jìn)一步擴(kuò)展傳輸容量和提高頻譜效率,用以滿足日益增長的帶寬需求。
模式復(fù)用器/解復(fù)用器是模分復(fù)用傳輸系統(tǒng)的關(guān)鍵組件。近幾年,隨著模式復(fù)用技術(shù)的發(fā)展,在其技術(shù)領(lǐng)域已提出許多結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)硅基模式復(fù)用器/解復(fù)用器,比如基于多模光柵輔助耦合器(GACCs)、多模干涉(MMI)耦合器、不對稱Y分叉、不對稱定向耦合器(ADCs)、絕熱耦合器(ACs)和錐形定向耦合器等的模式復(fù)用器/解復(fù)用器。基于GACCs的模式復(fù)用器/解復(fù)用器帶寬較窄且制造容差較小。雖然基于MMI耦合器的模式復(fù)用器/解復(fù)用器具有大帶寬的優(yōu)勢,但是在拓展更多的模式通道時(shí),具有不方便性和不靈活性。基于不對稱Y分叉的雙模式復(fù)用器/解復(fù)用器在C波段上的解復(fù)用串?dāng)_低于-9dB。基于不對稱定向耦合器的模式復(fù)用器/解復(fù)用器需要精確控制耦合長度和耦合強(qiáng)度。基于絕熱耦合器的模式復(fù)用器/解復(fù)用器具有低串?dāng)_和大帶寬等特點(diǎn),但是所占面積太大。基于錐形定向耦合器的模式復(fù)用器/解復(fù)用器由于絕熱錐形波導(dǎo)的引入,具備低串?dāng)_,大帶寬和大容差等優(yōu)勢,是目前性能較高的模式復(fù)用器/解復(fù)用器。
商業(yè)化兼容CMOS工藝為目前常用的一種制作硅基光電子器件的工藝方法,大規(guī)模制備硅基光電子器件時(shí),其相對于電子束光刻和等離子體反應(yīng)離子蝕刻工藝成本較低。鑒此,設(shè)計(jì)一種具備低串?dāng)_,大帶寬和大容差等特性,且可采用商業(yè)化兼容CMOS工藝制作得到,成本較低,較高可控性的基于反錐形波導(dǎo)的三模式復(fù)用器/解復(fù)用器具有重要意義。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題之一是提供一種具備低串?dāng)_,大帶寬和大容差等特性,且可采用商業(yè)化兼容CMOS工藝制作得到,成本較低,較高可控性的基于反錐形波導(dǎo)的三模式復(fù)用器。
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