[發(fā)明專利]一種具有相分離結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦太陽能電池及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710703841.2 | 申請日: | 2017-08-16 |
| 公開(公告)號: | CN107591482B | 公開(公告)日: | 2020-02-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 賈春陽;夏建興;萬中全 | 申請(專利權(quán))人: | 電子科技大學(xué) |
| 主分類號: | H01L51/42 | 分類號: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司: | 電子科技大學(xué)專利中心 51203 | 代理人: | 吳姍霖 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 具有 分離 結(jié)構(gòu) 鈣鈦礦 太陽能電池 及其 制備 方法 | ||
1.一種具有相分離結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦太陽能電池,包括透明導(dǎo)電基底、依次形成于透明導(dǎo)電基底之上的電子傳輸層、鈣鈦礦吸光層和空穴傳輸層的相分離結(jié)構(gòu)、金屬電極;其中,所述鈣鈦礦吸光層和空穴傳輸層的相分離結(jié)構(gòu)采用以下步驟得到:a.在形成于透明導(dǎo)電基底上的電子傳輸層的四周邊緣粘附厚度為0.005~0.05mm的柔性薄膜,以形成待沉積區(qū)域;b.在步驟a得到的待沉積區(qū)域上滴加10~50μL/cm2鈣鈦礦吸光層材料和空穴傳輸材料的混合溶液;所述混合溶液中鈣鈦礦吸光層材料的濃度為0.2~0.9mmol/mL,空穴傳輸材料的濃度為10~55mg/mL;c.在步驟b滴加有混合溶液的透明導(dǎo)電基底上覆蓋薄膜層,靜置1~5min后,放置于加熱臺上90~240℃溫度下加熱15~60s,揭下覆蓋的薄膜層,再在80~100℃下加熱10~30min,得到鈣鈦礦吸光層和空穴傳輸層的相分離結(jié)構(gòu)。
2.一種具有相分離結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,包括以下步驟:
步驟1、在襯底上制備電子傳輸層;
步驟2、在步驟1得到的電子傳輸層的四周邊緣粘附厚度為0.005~0.05mm的柔性薄膜,以形成待沉積區(qū)域;
步驟3、在步驟2得到的待沉積區(qū)域上滴加10~50μL/cm2鈣鈦礦吸光層材料和空穴傳輸材料的混合溶液;所述混合溶液中鈣鈦礦吸光層材料的濃度為0.2~0.9mmol/mL,空穴傳輸材料的濃度為10~55mg/mL;
步驟4、在步驟3滴加有混合溶液的襯底上覆蓋薄膜層,靜置1~5min后,放置于加熱臺上在90~240℃溫度下加熱15~60s,揭下覆蓋的薄膜層,再在80~100℃下加熱10~30min,得到鈣鈦礦吸光層和空穴傳輸層的相分離結(jié)構(gòu);
步驟5、在步驟4得到的鈣鈦礦吸光層和空穴傳輸層的相分離結(jié)構(gòu)上制備金屬電極作為對電極,即可得到所述具有相分離結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦太陽能電池。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有相分離結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于,步驟3處理之前添加對步驟2處理后的電子傳輸層的表面進行改性處理的步驟。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有相分離結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于,步驟1所述襯底為FTO玻璃、ITO玻璃、AZO、柔性ITO、PET或PEN。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有相分離結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于,步驟1所述電子傳輸層材料為TiO2、ZnO、SnO2或Zn2SnO4,采用原子層沉積、旋涂或浸漬提拉方法制備得到;所述電子傳輸層上還制備材料為TiO2、ZnO、SiO2、Al2O3、SiTiO3、ZrO2或Zn2SnO4的介孔支撐層。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有相分離結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于,步驟2所述柔性薄膜為聚酰亞胺、聚四氟乙烯、聚乙烯、聚氯乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚丙烯或聚苯乙烯。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有相分離結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于,步驟3所述的混合溶液為鈣鈦礦吸光層材料和空穴傳輸材料的混合溶液;其中,鈣鈦礦吸光層材料化學(xué)式為ABmX3-m,A=CH3NH3、C4H9NH3、NH2=CHNH2或Cs,B為Pb或Sn,X為Cl、Br或I;空穴傳輸材料為Spiro-OMeTAD、PTAA、P3HT、PEDOT:PSS或NPB。
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