[發(fā)明專利]GaN半導(dǎo)體器件及其制備方法和應(yīng)用在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710702909.5 | 申請(qǐng)日： | 2017-08-16 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107331699A | 公開（公告）日： | 2017-11-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 金榮善;金峻淵;李尚俊;駱薇薇;孫在亨 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 英諾賽科（珠海）科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/06 | 分類號(hào)： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司44224 | 代理人： | 鄭彤,萬志香 |
| 地址： | 519000 廣東省珠海市唐家灣鎮(zhèn)*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | gan 半導(dǎo)體器件 及其 制備 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種GaN半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：
基板；
設(shè)置于所述基板上的晶種層；
設(shè)置于所述晶種層上的緩沖層；
設(shè)置于所述緩沖層上的所述氮化鎵層；
設(shè)置于所述氮化鎵層上的AlxGa1-xN層；
設(shè)置于所述AlxGa1-xN層上的氮化鋁層；
設(shè)置于所述氮化鋁層上的p-GaN層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述p-GaN層、所述氮化鋁層以及所述AlxGa1-xN層中Al的含量依次遞增。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述氮化鋁層與所述p-GaN層之間還設(shè)有氮化鋁鎵層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的GaN半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述p-GaN層、所述氮化鋁層、所述氮化鋁鎵層以及所述AlxGa1-xN層中Al的含量依次遞增。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的GaN半導(dǎo)體器件，其特征在于，其中0<x<1。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的GaN半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述晶種層的材質(zhì)為氮化鋁、氮化鎵或氮化鋁鎵；所述緩沖層的材質(zhì)為氮化鋁、氮化鎵或氮化鋁鎵。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的GaN半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述氮化鎵層為碳沉積氮化鎵層、非摻雜氮化鎵層或復(fù)合層，所述復(fù)合層為多層交互層疊的碳沉積氮化鎵層和非摻雜氮化鎵層。
8.權(quán)利要求1所述的GaN半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
獲取基板；
在所述基板上形成晶種層；
在所述晶種層上形成緩沖層；
在所述緩沖層上形成氮化鎵層；
在所述氮化鎵層上形成AlxGa1-xN層；
在所述AlxGa1-xN層上形成氮化鋁層；
在所述氮化鋁層上形成p-GaN層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述氮化鋁層與所述p-GaN層之間還形成有一層氮化鋁鎵層。
10.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的GaN半導(dǎo)體器件。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
