[發(fā)明專利]一種晶圓級扇出型堆疊封裝工藝方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710702492.2
• 申請日: 2017-08-16
• 公開（公告）號: CN107481945B
• 公開（公告）日: 2019-08-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 姚大平;宋濤
• 申請（專利權(quán)）人: 華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250
• 代理人: 陳博旸

1.一種晶圓級扇出型堆疊封裝工藝方法，其特征在于，包括如下步驟：

在透光臨時基板上的高溫鍵合膠層上貼附一層干性光阻膜；

在所述干性光阻膜上形成多個直通高溫鍵合膠層的盲孔；

在所述干性光阻膜固化后，在所述盲孔內(nèi)植入導(dǎo)電金屬柱，所述導(dǎo)電金屬柱的上表面高于所述干性光阻膜的上表面；

在所述干性光阻膜表面貼裝裸芯片，所述裸芯片的器件面低于所述導(dǎo)電金屬柱的上表面；

整體注塑并對塑封體的表面進(jìn)行磨削直至將所述裸芯片的焊墊完全暴露；

在所述塑封體的磨削面上制作用于連接所述導(dǎo)電金屬柱和裸芯片的重布線層；

去除所述透光臨時基板和高溫鍵合膠層，得到封裝單元；

根據(jù)所述封裝單元得到扇出型堆疊封裝結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級扇出型堆疊封裝工藝方法，其特征在于：所述導(dǎo)電金屬柱外有焊錫包裹。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級扇出型堆疊封裝工藝方法，其特征在于，當(dāng)貼附多層干性光阻膜時，在每一層干性光阻膜固化前在同一位置反復(fù)多次形成盲孔。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓級扇出型堆疊封裝工藝方法，其特征在于，在反復(fù)多次形成盲孔的過程中，后續(xù)貼附的干性光阻膜上盲孔的直徑不小于與其相鄰的前一層干性光阻膜上盲孔的直徑。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級扇出型堆疊封裝工藝方法，其特征在于，所述得到扇出型堆疊封裝結(jié)構(gòu)的步驟包括：對兩個以上所述封裝單元進(jìn)行堆疊以得到扇出型堆疊封裝結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶圓級扇出型堆疊封裝工藝方法，其特征在于，所述對兩個以上所述封裝單元進(jìn)行堆疊以得到扇出型堆疊封裝結(jié)構(gòu)的步驟包括：利用上層封裝單元上重布線層的微凸點抵觸與其相鄰的下層封裝單元上固化后的干性光阻膜上露出的導(dǎo)電金屬柱，以實現(xiàn)所述封裝單元的堆疊。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級扇出型堆疊封裝工藝方法，其特征在于，所述得到扇出型堆疊封裝結(jié)構(gòu)的步驟包括：采用引線鍵合或者倒裝芯片將所述封裝單元與另一芯片進(jìn)行堆疊，得到扇出型堆疊封裝結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級扇出型堆疊封裝工藝方法，其特征在于，所述在所述干性光阻膜表面貼裝裸芯片的步驟包括：將所述裸芯片的非器件面通過鍵合膜貼裝到所述干性光阻膜表面，并且所述裸芯片的器件面低于導(dǎo)電金屬柱。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級扇出型堆疊封裝工藝方法，其特征在于，所述導(dǎo)電金屬柱的材質(zhì)為銅、鋁或鋁銅合金。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶圓級扇出型堆疊封裝工藝方法，其特征在于，所述導(dǎo)電金屬柱的直徑為100～1000μm。