[發(fā)明專利]偏振膜的制造方法和制造裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710702074.3
• 申請(qǐng)日: 2017-08-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107765354B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-09-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 住田幸司;趙天熙;樸重萬(wàn)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 住友化學(xué)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G02B5/30
• 分類號(hào): G02B5/30;G02F1/1335
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 朱丹

1.一種偏振膜的制造方法，其是由聚乙烯醇系樹(shù)脂膜制造硼含有率為2.0～3.5重量％的偏振膜的方法，包括下述工序：

將所述聚乙烯醇系樹(shù)脂膜用二色性色素進(jìn)行染色處理的染色工序；

使所述染色工序后的所述聚乙烯醇系樹(shù)脂膜浸漬于交聯(lián)浴而進(jìn)行交聯(lián)處理的交聯(lián)工序，所述交聯(lián)浴包含含有硼化合物的交聯(lián)劑的水溶液，所述交聯(lián)劑的水溶液包含相對(duì)于水100重量份為1.5重量份以上且3重量份以下的所述硼化合物；

在所述交聯(lián)工序后，將附著于所述聚乙烯醇系樹(shù)脂膜的表面的所述水溶液去除的除液工序；

對(duì)所述除液工序后的所述聚乙烯醇系樹(shù)脂膜照射電磁波的電磁波照射工序，所述電磁波中的波長(zhǎng)超過(guò)2μm且為4μm以下的紅外線的輻射能量的比例為總輻射能量的25％以上，所述電磁波的照射熱量相對(duì)于所述聚乙烯醇系樹(shù)脂膜的每單位體積為100J/cm³以上且3000J/cm³以下；以及

將照射所述電磁波后的所述聚乙烯醇系樹(shù)脂膜進(jìn)行清洗的清洗工序。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏振膜的制造方法，其中，所述電磁波照射工序在將所述聚乙烯醇系樹(shù)脂膜從所述交聯(lián)浴中拉出后5秒以內(nèi)進(jìn)行。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的偏振膜的制造方法，其中，在所述交聯(lián)工序中，所述交聯(lián)浴包含交聯(lián)劑的水溶液，所述交聯(lián)劑的水溶液包含相對(duì)于水100重量份為1.5重量份以上且3重量份以下的所述硼化合物。

4.一種偏振膜的制造裝置，其是由聚乙烯醇系樹(shù)脂膜制造硼含有率為2.0～3.5重量％的偏振膜的制造裝置，其具備：

將所述聚乙烯醇系樹(shù)脂膜用二色性色素進(jìn)行染色處理的染色部；

使所述染色處理后的所述聚乙烯醇系樹(shù)脂膜浸漬于交聯(lián)浴而進(jìn)行交聯(lián)處理的交聯(lián)部，所述交聯(lián)浴包含含有硼化合物的交聯(lián)劑的水溶液，所述交聯(lián)劑的水溶液包含相對(duì)于水100重量份為1.5重量份以上且3重量份以下的所述硼化合物；

對(duì)所述交聯(lián)處理后的所述聚乙烯醇系樹(shù)脂膜照射電磁波的電磁波照射部，所述電磁波中的波長(zhǎng)超過(guò)2μm且為4μm以下的紅外線的輻射能量的比例為總輻射能量的25％以上，所述電磁波的照射熱量相對(duì)于所述聚乙烯醇系樹(shù)脂膜的每單位體積為100J/cm³以上且3000J/cm³以下；以及

將照射所述電磁波后的所述聚乙烯醇系樹(shù)脂膜進(jìn)行清洗的清洗部。