[發明專利]一種改善光刻膠線條邊緣粗糙度的方法

有效

• 申請號: 201710702042.3
• 申請日: 2017-08-16
• 公開（公告）號: CN107527797B
• 公開（公告）日: 2022-04-05
• 發明（設計）人: 許開東
• 申請（專利權）人: 江蘇魯汶儀器有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/67
• 代理公司: 北京睿智保誠專利代理事務所(普通合伙) 11732
• 代理人: 周新楣

1.一種改善光刻膠線條邊緣粗糙度的方法，其特征在于，

包括以下步驟：

沉積步驟，在圖形化后的光刻膠結構的表面均勻沉積一定厚度的有機薄膜，所述有機薄膜與所述光刻膠的被刻蝕性質類似，在常溫下為固體，表示為C_xH_yF_z，其中，各成分間的關系滿足y+z＝4x；所述有機薄膜的沉積厚度與所述光刻膠的線條邊緣粗糙度值相同；

刻蝕步驟，對所述有機薄膜進行各向同性刻蝕，使暴露的側壁與頂部有相等的刻蝕速率；以及

判斷步驟，判斷所述光刻膠的線條邊緣粗糙度是否達到預設值，如果判斷為否，則返回沉積步驟，重復從沉積步驟到刻蝕步驟的循環，如果判斷為是，則結束。

2.根據權利要求1所述的改善光刻膠線條邊緣粗糙度的方法，其特征在于，

根據所述光刻膠的線條邊緣粗糙度對所述有機薄膜的沉積厚度進行設定，所述光刻膠的線條邊緣粗糙度越大則所述有機薄膜沉積厚度越大。

3.根據權利要求1所述的改善光刻膠線條邊緣粗糙度的方法，其特征在于，

所述有機薄膜的沉積氣體采用碳氫基氣體或碳氟基氣體，沉積溫度低于150℃。

4.根據權利要求3所述的改善光刻膠線條邊緣粗糙度的方法，其特征在于，所述沉積氣體為C₂H₂，CH₄，CH₃F，CH₂F₂，C₄F₆，C₄F₈氣體中的一種或某幾種的組合。

5.根據權利要求3所述的改善光刻膠線條邊緣粗糙度的方法，其特征在于，

采用等離子增強化學氣象沉積法形成所述有機薄膜。

6.根據權利要求1所述的改善光刻膠線條邊緣粗糙度的方法，其特征在于，

在所述刻蝕步驟中，采用O₂，CO，N₂，CF₄，HBr，H₂，He氣體中的一種或某幾種的組合對所述有機薄膜進行刻蝕。

7.根據權利要求1所述的改善光刻膠線條邊緣粗糙度的方法，其特征在于，

所述刻蝕步驟中，根據關鍵尺寸和光刻膠的線條邊緣粗糙度對刻蝕厚度進行設定，使刻蝕后的光刻膠的線條邊緣粗糙度達到預設值并且不影響關鍵尺寸。

8.根據權利要求1所述的改善光刻膠線條邊緣粗糙度的方法，其特征在于，

所述刻蝕步驟中采用感應耦合等離子刻蝕或電容耦合等離子刻蝕。