[發(fā)明專利]一種掩膜板微塵影響評估方法和系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710701067.1 | 申請日： | 2017-08-16 |
| 公開（公告）號： | CN107632495B | 公開（公告）日： | 2020-11-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 智慧;毛智彪 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/84 | 分類號： | G03F1/84 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務(wù)所 31272 | 代理人： | 俞滌炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 掩膜板 微塵 影響 評估 方法 系統(tǒng) | ||
1.一種掩膜板微塵影響評估方法，應(yīng)用于集成電路研發(fā)階段的光刻工藝中，其特征在于，包括以下步驟：
步驟S1、提供一檢測模板，所述檢測模板包括對應(yīng)于掩膜板的掩膜板圖形和位于所述掩膜板圖形上的目標(biāo)檢測區(qū)域；
步驟S2、對所述掩膜板的表面進行微塵檢測，并輸出檢測結(jié)果，所述檢測結(jié)果為檢測到的所有微塵分別在所述掩膜板上的影響區(qū)域；
步驟S3、將所述檢測結(jié)果嵌入所述檢測模板，分析所有所述影響區(qū)域分別與所述目標(biāo)檢測區(qū)域的位置關(guān)系；
步驟S4、根據(jù)所有所述位置關(guān)系評估所述掩膜板表面的微塵對當(dāng)前光刻工藝的影響，并輸出評估結(jié)果；
所述目標(biāo)檢測區(qū)域?qū)?yīng)于根據(jù)研發(fā)需求選擇所述掩膜板的一個特定區(qū)域；
所述評估結(jié)果為：
當(dāng)至少一個所述位置關(guān)系為相交或相切時，判斷所述掩膜板表面的微塵對當(dāng)前的光刻工藝有影響，需要對所述掩膜板做清潔處理，晶圓在光刻制程內(nèi)返工作業(yè)；
當(dāng)所有所述位置關(guān)系為相離時，判斷所述掩膜板表面的微塵對當(dāng)前光刻工藝沒有影響，可繼續(xù)使用所述掩膜板，晶圓直接進入后續(xù)工藝流程。
2.如權(quán)利要求1所述的掩膜板微塵影響評估方法，其特征在于，所述步驟S2包括以下步驟：
步驟S21、計算出不同尺寸的微塵的影響范圍并儲存；
步驟S22、檢測所述掩膜板，以獲得所述掩膜板表面所有所述微塵的尺寸及位置；
步驟S23、根據(jù)檢測到的所有所述微塵的尺寸及位置，以及不同尺寸的微塵的影響范圍，獲取所有所述微塵分別在所述掩膜板上的所述影響區(qū)域。
3.如權(quán)利要求1所述的掩膜板微塵影響評估方法，其特征在于，所述步驟S1包括以下步驟：
步驟S11、建立特征圖形庫，所述特征圖形來源于版圖信息文件；
步驟S12、建立所述掩膜板與所述特征圖形之間的對應(yīng)關(guān)系的數(shù)據(jù)庫；
步驟S13、選擇所述特征圖形及所述對應(yīng)關(guān)系，以及在所述特征圖形上選擇待測圖形區(qū)域；
步驟S14、根據(jù)所述特征圖形、對應(yīng)關(guān)系及所述待測圖形區(qū)域生成所述檢測模板。
4.如權(quán)利要求3所述的掩膜板微塵影響評估方法，其特征在于，所述掩膜板圖形通過所述對應(yīng)關(guān)系與所述特征圖形對應(yīng)，所述目標(biāo)檢測區(qū)域通過所述對應(yīng)關(guān)系與所述待測圖形區(qū)域?qū)?yīng)。
5.一種掩膜板微塵影響評估系統(tǒng)，應(yīng)用于集成電路研發(fā)階段的光刻工藝中，其特征在于，包括：
圖形處理模塊，生成一檢測模板，所述檢測模板包括對應(yīng)于掩膜板的掩膜板圖形和位于所述掩膜板圖形上的目標(biāo)檢測區(qū)域；
微塵檢測模塊，用于對所述掩膜板表面的微塵進行檢測并輸出微塵檢測結(jié)果，所述檢測結(jié)果為檢測到的所有微塵分別在所述掩膜板上的影響區(qū)域；
判斷模塊，連接所述微塵檢測模塊和所述圖形處理模塊，用于判斷所有所述影響區(qū)域與所述目標(biāo)檢測區(qū)域的位置關(guān)系，并輸出判斷結(jié)果；
評估模塊，連接所述判斷模塊，用于根據(jù)所有所述位置關(guān)系評估所述掩膜板表面的微塵對當(dāng)前光刻工藝的影響，并輸出評估結(jié)果；
所述目標(biāo)檢測區(qū)域?qū)?yīng)于根據(jù)研發(fā)需求選擇所述掩膜板的一個特定區(qū)域；
所述評估結(jié)果為：
當(dāng)至少一個所述位置關(guān)系為相交或相切時，判斷所述掩膜板表面的微塵對當(dāng)前的光刻工藝有影響，需要對所述掩膜板做清潔處理，晶圓在光刻制程內(nèi)返工作業(yè)；
當(dāng)所有所述位置關(guān)系為相離時，判斷所述掩膜板表面的微塵對當(dāng)前光刻工藝沒有影響，可繼續(xù)使用所述掩膜板，晶圓直接進入后續(xù)工藝流程。
6.如權(quán)利要求5所述的掩膜板微塵影響評估系統(tǒng)，其特征在于，所述微塵檢測模塊包括：
第一存儲單元，用于存儲微塵的尺寸，以及不同尺寸的微塵在所述掩膜板上的影響范圍；
檢測單元，用于檢測所述掩膜板的表面的所有微塵的尺寸及所有微塵在分別所述掩膜板上的位置并輸出；
檢測結(jié)果生成單元，連接所述檢測單元和所述第一存儲單元，用于根據(jù)所述第一存儲單元存儲的不同尺寸的微塵在所述掩膜板上的影響范圍，依據(jù)檢測到的所有微塵在分別所述掩膜板上的位置，得到檢測到的所述有微塵分別在所述掩膜板上的影響區(qū)域。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記；其制備
