[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)移方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710701036.6
• 申請日: 2017-08-16
• 公開（公告）號: CN107768297B
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳立宜;李欣薇;林師勤
• 申請（專利權(quán)）人: 美科米尚技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/78;H01L21/67
• 代理公司: 北京中譽(yù)威圣知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11279
• 代理人: 王正茂;叢芳

本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)移方法，包含以下步驟。首先，在承載基板上涂布粘著層。接著，在粘著層上設(shè)置半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中粘著層在配置之后包含粘著劑成分及界面活性劑成分。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含主體及底部電極，底部電極在設(shè)置后位于主體及粘著層之間。然后，朝粘著層照射至少一個(gè)電磁波，以降低粘著層對半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的粘著力，但仍維持該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)于該粘著層上的位置在可控制的范圍內(nèi)。其中承載基板、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及底部電極在紫外線與紅外線之間具有通帶。最后，在粘著層的粘著力降低后，將半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)自粘著層轉(zhuǎn)移至接收基板。本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)移方法通過照射電磁波以降低粘著層的粘著力，使轉(zhuǎn)移更容易。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是關(guān)于一種在成長基板及接收基板之間轉(zhuǎn)移至少一個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法

背景技術(shù)

電子封裝技術(shù)正朝向進(jìn)一步地縮小邁進(jìn)，其中微型元件封裝已成為當(dāng)今的重要領(lǐng)域，任何技術(shù)上的改進(jìn)皆為眾所盼望。

發(fā)明內(nèi)容

傳統(tǒng)轉(zhuǎn)移微型元件的方法是通過基板接合(Wafer Bonding)將微型元件自轉(zhuǎn)移基板轉(zhuǎn)移至接收基板。轉(zhuǎn)移方法的其中一種實(shí)施方法為直接轉(zhuǎn)移，也就是直接將微型元件陣列自轉(zhuǎn)移基板接合至接收基板，之后再將轉(zhuǎn)移基板移除。另一種實(shí)施方法為“間接轉(zhuǎn)移”。此方法包含兩次接合/剝離的步驟。在間接轉(zhuǎn)移中，轉(zhuǎn)置頭可將位于中間承載基板上的部分微型元件陣列拾起，然后再將微型元件陣列接合至接收基板，接著再把轉(zhuǎn)置頭移除。

本發(fā)明的目的在于提供一種通過照射電磁波以降低粘著層的粘著力，使轉(zhuǎn)移更容易的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)移方法。

依照本發(fā)明一些實(shí)施例，提供至少一個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)移方法。此方法包含：在承載基板上涂布粘著層。在該粘著層上設(shè)置半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，使得半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)暫時(shí)粘附于粘著層上，其中粘著層至少在前述設(shè)置后包含至少一種粘著劑成分及至少一種界面活性劑成分。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含主體及底部電極，底部電極在前述設(shè)置后位于主體及粘著層之間。朝粘著層照射至少一個(gè)第一電磁波，以降低粘著層對半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的粘著力，但仍維持半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)于粘著層上的位置在可控制的范圍內(nèi)，其中承載基板及主體和底部電極的組合中的至少一個(gè)在紫外線與紅外線之間具有通帶。接著，在粘著層的粘著力降低后，將半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)自粘著層轉(zhuǎn)移至接收基板。

本發(fā)明上述實(shí)施方式通過照射至少一個(gè)電磁波，以降低粘著層對半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的粘著力。于此同時(shí)，暫時(shí)粘附于粘著層上的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的位置，在進(jìn)行工藝時(shí)將會維持在可控制的范圍內(nèi)，因此在粘著層的粘著力降低后，可輕易將半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)自粘著層轉(zhuǎn)移至接收基板。

附圖說明

通過參照附圖閱讀以下對實(shí)施例的詳細(xì)描述，可以更全面地理解本發(fā)明：

圖1至圖4及圖6A至圖9繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的至少一個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)移方法的中間步驟的剖面示意圖。

圖5繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的經(jīng)切割工藝的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及粘著層的放大剖面示意圖。

圖10及圖11繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)移方法的中間步驟的剖面示意圖。

圖12繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)移方法的中間步驟的剖面示意圖。

圖13繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)移方法的中間步驟的剖面示意圖。

圖14A繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)移方法中當(dāng)轉(zhuǎn)置頭將要接觸半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的中間步驟的剖面示意圖。

圖14B繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)移方法中當(dāng)轉(zhuǎn)置頭接觸半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的中間步驟的剖面示意圖。

圖15A繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)移方法中當(dāng)轉(zhuǎn)置頭將要接觸半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的中間步驟的剖面示意圖。

圖15B繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)移方法中當(dāng)轉(zhuǎn)置頭接觸半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的中間步驟的剖面示意圖。