[發明專利]半導體方法和器件

有效

• 申請號: 201710700995.6
• 申請日: 2017-08-16
• 公開（公告）號: CN108122738B
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發明（設計）人: 蘇怡年
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/308;H01L21/768
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導體處理的方法，包括：

在設置在掩模層上方的多個芯軸上方共形地形成間隔件層，所述間隔件層的設置在所述多個芯軸的相鄰芯軸的相對側壁上方的部分限定位于所述部分之間的溝槽；

用犧牲材料填充所述溝槽；

去除所述犧牲材料的位于所述溝槽中的第一部分，從而在所述犧牲材料中形成多個開口；

用第一材料填充所述多個開口；

去除所述犧牲材料的位于所述溝槽中的剩余部分；以及

在去除所述犧牲材料之后去除所述多個芯軸。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括在去除所述多個芯軸之后，將由所述第一材料和所述間隔件層限定的圖案轉印至所述掩模層。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，共形地形成所述間隔件層包括使用至少部分原子層沉積來形成所述間隔件層。

4.根據權利要求1所述的方法，還包括在共形地形成所述間隔件層之后并且在填充所述溝槽之前，實施各向異性蝕刻工藝，所述各向異性蝕刻工藝暴露所述掩模層的上表面和所述多個芯軸的上表面。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，填充所述溝槽包括：

在所述溝槽中和所述間隔件層上方沉積犧牲材料，其中，所述犧牲材料選自由碳氧化硅、氧化硅和金屬氧化物組成的組；以及

去除所述犧牲材料的頂部以暴露所述間隔件層的上表面，其中，在去除所述頂部之后，所述間隔件層的上表面和所述犧牲材料的上表面彼此齊平。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，至少部分使用旋涂沉積或可流動化學汽相沉積來實施所述沉積。

7.根據權利要求5所述的方法，其中，去除所述犧牲材料的所述第一部分包括：

在所述間隔件層、所述犧牲材料和所述多個芯軸上方形成一個或多個掩模層；

在所述一個或多個掩模層上方形成光刻膠；

圖案化所述光刻膠以形成具有第一長度和第一寬度的第一圖案；

將所述第一圖案轉印至所述一個或多個掩模層；以及

選擇性地去除由所述第一圖案暴露的所述犧牲材料，從而形成所述多個開口的一個或多個。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，形成所述一個或多個掩模層包括在所述間隔件層、所述犧牲材料和所述多個芯軸上方依次形成包括碳的第一掩模層和包括碳氧化硅的第二掩模層。

9.根據權利要求7所述的方法，其中，所述第一寬度與所述半導體工藝的臨界尺寸相同。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，填充所述多個開口包括：

在所述間隔件層和所述犧牲材料上方沉積所述第一材料，其中，所述第一材料填充所述犧牲材料中的所述多個開口，其中，所述第一材料選自由氮化硅、氧化硅和氧化鈦組成的組；以及

凹進所述第一材料的頂部以暴露所述間隔件層和所述犧牲材料。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，沉積所述第一材料使用原子層沉積。

12.根據權利要求10所述的方法，還包括在去除所述犧牲材料之后并且在去除所述多個芯軸之前，實施各向異性蝕刻工藝以暴露所述掩模層的上表面和所述多個芯軸的上表面。

13.一種形成掩模圖案的方法，包括：

在掩模層上方形成多個芯軸；

在所述多個芯軸的側壁上方形成多個間隔件，其中，位于所述多個芯軸的相鄰芯軸的相對側壁上的間隔件形成位于所述間隔件之間的溝槽；

用犧牲材料填充所述溝槽；

用第一材料替代所述犧牲材料的第一部分；

去除所述犧牲材料的剩余部分；

去除所述多個芯軸；以及

將第一圖案從所述間隔件和所述第一材料轉印至所述掩模層。