[發(fā)明專利]圖像傳感器及制造其的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710700946.2 | 申請(qǐng)日: | 2017-08-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107768388B | 公開(公告)日: | 2022-02-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 白寅圭;嚴(yán)祥訓(xùn);李泰淵;許在成 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L27/146 | 分類號(hào): | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 屈玉華 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 圖像傳感器 制造 方法 | ||
1.一種圖像傳感器,包括:
包括彼此相對(duì)的第一表面和第二表面的襯底,所述襯底還包括光電轉(zhuǎn)換器件;
在所述襯底的所述第一表面上的絕緣結(jié)構(gòu),所述絕緣結(jié)構(gòu)包括金屬布線;
在所述襯底的所述第二表面上的電荷鈍化層,所述電荷鈍化層包括非晶晶體結(jié)構(gòu),所述電荷鈍化層還包括多種不同元素,所述不同元素的每種元素為金屬元素或準(zhǔn)金屬元素;以及
在所述電荷鈍化層上的微透鏡,
其中,
所述電荷鈍化層包括下鈍化層和上鈍化層,以及
所述下鈍化層包括第一材料元素,所述上鈍化層包括不同于所述第一材料元素的第二材料元素,
所述圖像傳感器還包括:
在所述下鈍化層與所述上鈍化層之間的插入鈍化層,
其中所述插入鈍化層包括所述第一材料元素的至少一部分和所述第二材料元素的至少一部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器,其中所述下鈍化層和所述上鈍化層的每個(gè)包括多種不同元素,不同元素的每種元素為金屬元素或準(zhǔn)金屬元素。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖像傳感器,其中
所述下鈍化層包括,
從周期表元素的第一族選擇的元素,以及
從周期表元素的第二族選擇的元素,所述第二族不同于所述第一族,以及
所述上鈍化層包括,
從周期表元素的第三族選擇的元素,以及
從周期表元素的第四族選擇的元素,所述第四族不同于所述第三族。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器,其中所述下鈍化層和所述上鈍化層的每個(gè)鈍化層包括非晶晶體結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器,還包括:
至少部分地延伸穿過所述襯底的溝槽;以及
沿著所述溝槽的側(cè)壁延伸的溝槽電荷鈍化層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖像傳感器,其中,
所述溝槽鄰近所述襯底的所述第二表面,以及
所述電荷鈍化層和所述溝槽電荷鈍化層彼此接觸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器,其中所述下鈍化層和所述上鈍化層中的每個(gè)包括含至少一種金屬元素的高k絕緣材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器,其中,
所述上鈍化層具有大于或等于1.6且小于或等于4的折射率(n),以及
所述上鈍化層和所述下鈍化層具有小于或等于0.01的消光系數(shù)(k)。
9.一種圖像傳感器,包括:
襯底;以及
在所述襯底上的電荷鈍化層,所述電荷鈍化層包括含多種不同元素的氧化物材料,所述不同元素的每種元素為金屬元素或準(zhǔn)金屬元素,
其中,
所述電荷鈍化層包括下鈍化層和上鈍化層,以及
所述下鈍化層包括第一材料元素,所述上鈍化層包括不同于所述第一材料元素的第二材料元素,
所述圖像傳感器還包括:
在所述下鈍化層與所述上鈍化層之間的插入鈍化層,
其中所述插入鈍化層包括所述第一材料元素的至少一部分和所述第二材料元素的至少一部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的圖像傳感器,其中,
所述電荷鈍化層包括非晶晶體結(jié)構(gòu)。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的圖像傳感器,其中,
所述下鈍化層包括,
第一元素,包括從周期表元素的第一族選擇的金屬元素或準(zhǔn)金屬元素,以及
第二元素,包括從周期表元素的第二族選擇的金屬元素或準(zhǔn)金屬元素,所述第二族不同于所述第一族,
所述上鈍化層包括,
第三元素,包括從周期表元素的第三族選擇的金屬元素或準(zhǔn)金屬元素,以及
第四元素,包括從周期表元素的第四族選擇的金屬元素或準(zhǔn)金屬元素,所述第四族不同于所述第三族。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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