[發(fā)明專利]非易失性半導(dǎo)體存儲裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710700623.3
• 申請日: 2017-08-16
• 公開（公告）號: CN108630270B
• 公開（公告）日: 2022-04-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鈴木義典;宮崎隆行
• 申請（專利權(quán)）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00;G11C11/16;G11C11/56
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 楊林勳

1.一種非易失性半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在于具備：

電流源，一端與電源連接，從另一端流出參考電流；

箝位電路，包含控制晶體管及放大電路，所述控制晶體管的一端與所述電流源的另一端連接，所述放大電路在輸入側(cè)的正極端口輸入單元參考電壓，輸入側(cè)的負(fù)極端口與所述控制晶體管的另一端連接，輸出側(cè)與所述控制晶體管的控制端子連接，從所述控制晶體管的另一端向所述輸入側(cè)的負(fù)極端口輸入反饋信號，向所述控制晶體管的控制端子輸出差動放大后的信號，所述箝位電路對位線負(fù)載電容充電而使所述控制晶體管的另一端箝位在所述單元參考電壓；

存儲單元，包含電阻變化型元件，一端經(jīng)由位線與所述箝位電路連接，另一端與字線連接；

讀出放大器，檢測所述電阻變化型元件中存儲的數(shù)據(jù)；

第1開關(guān)，當(dāng)?shù)?控制信號為使能狀態(tài)時，將所述控制晶體管的一端設(shè)定為第1參考電壓；及

第2開關(guān)，設(shè)置在所述控制晶體管與所述存儲單元之間，當(dāng)?shù)?控制信號為使能狀態(tài)時，將所述控制晶體管與所述存儲單元之間連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在于：

所述讀出放大器包含電容器、反相器、第3開關(guān)，

所述電容器的一端與所述電流源的另一端連接，

所述反相器的輸入側(cè)與所述電容器的另一端連接，

所述第3開關(guān)的一端與所述電容器的另一端連接，另一端與所述反相器的另一端連接，當(dāng)接通時，將所述電容器的另一端與所述反相器的另一端連接，使所述反相器的輸出信號反饋輸入到所述反相器的輸入側(cè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的非易失性半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在于：

所述電阻變化型元件將電阻值分布不同的多個數(shù)據(jù)作為多值數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲，且所述非易失性半導(dǎo)體存儲裝置還具備：

判定電路，輸入從所述讀出放大器輸出的輸出信號，判定所述讀出放大器讀出的所述電阻變化型元件的數(shù)據(jù)存在于哪個區(qū)域，并基于判定結(jié)果，變更所述單元參考電壓，縮小所述電阻變化型元件的數(shù)據(jù)的區(qū)域；及

DA轉(zhuǎn)換器，基于所述判定電路中的變更結(jié)果，將變更單元參考電壓作為反饋信號，向所述放大電路的輸入側(cè)的負(fù)極端口輸出變更單元參考電壓。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的非易失性半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在于：所述非易失性半導(dǎo)體存儲裝置為ReRAM、PCRAM或者M(jìn)RAM。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在于：所述電流源包含電流鏡電路。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的非易失性半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在于：所述電流鏡電路具備兩個Pch MOS晶體管。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的非易失性半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在于：所述兩個Pch MOS晶體管的柵極寬與柵極長之比相同。