[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體激光器陣列封裝結(jié)構(gòu)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710700481.0
• 申請日: 2017-08-16
• 公開（公告）號: CN107293936A
• 公開（公告）日: 2017-10-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李軍;席道明;陳云;呂艷釗;魏皓
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇天元激光科技有限公司
• 主分類號: H01S5/024
• 分類號: H01S5/024;H01S5/40
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導(dǎo)體激光器陣列封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

激光器陣列芯片；

分別焊接于所述激光器陣列芯片兩側(cè)的焊片；

焊接于兩側(cè)所述焊片的過渡熱沉；

支撐一側(cè)所述過渡熱沉的第一散熱熱沉；以及

覆蓋另一側(cè)所述過渡熱沉的第二散熱熱沉；

其中，所述第一散熱熱沉與所述第二散熱熱沉遠(yuǎn)離所述激光器陣列芯片的一端通過絕緣層相互連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器陣列封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述激光器陣列芯片兩側(cè)蒸鍍有Ti-Pt-Au金屬層，所述Ti-Pt-Au金屬層包括Ti粘附層，Pt阻擋層及Au浸潤層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器陣列封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述焊片由3μm厚的預(yù)成型AuSn合金焊片制成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器陣列封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述過渡熱沉由熱膨脹系數(shù)匹配的CuW制成，所述熱膨脹系數(shù)為6.5×10^-6mm/℃。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器陣列封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述過渡熱沉與所述第一散熱熱沉及所述第二散熱熱沉之間采用焊接熔點(diǎn)溫度低于AuSn焊片溫度的焊料焊接。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器陣列封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述第一散熱熱沉與所述第二散熱熱沉之間設(shè)置的絕緣層為AIN電絕緣層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器陣列封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述激光器陣列芯片正極面向所述第一散熱熱沉，負(fù)極面向所述第二散熱熱沉。