[發明專利]一種數據讀取的方法及閃存控制器

有效

• 申請號: 201710698122.6
• 申請日: 2017-08-15
• 公開（公告）號: CN109411002B
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發明（設計）人: 石亮;李喬;底曄佳;戴芬;王元鋼
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司;重慶大學
• 主分類號: G11C16/26
• 分類號: G11C16/26;G11C16/30
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 馮艷蓮

1.一種數據讀取的方法，其特征在于，包括：

閃存控制器獲取數據讀取請求，所述數據讀取請求包括待讀取數據的地址；

所述閃存控制器根據所述待讀取數據的地址，確定所述待讀取數據所在的閃存塊；

所述閃存控制器在所述待讀取數據所在的閃存塊所處的讀取階段為第一階段時，根據所述閃存塊當前導通電壓的降低量，確定出所述閃存塊的非讀字線上降低后的導通電壓，并設置待讀字線的讀取電壓；其中，所述第一階段為當前讀操作所使用的參考電壓小于等于低密度校驗碼LDPC當前支持的參考電壓、且所述閃存塊當前導通電壓的降低量大于第一閾值的階段；

所述閃存控制器根據所述閃存塊上非讀字線上降低后的導通電壓和所述待讀字線的讀取電壓，讀取數據。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述閃存控制器讀取數據之后，還包括：

所述閃存控制器在確定所述當前讀操作所使用的參考電壓大于LDPC當前支持的參考電壓、且所述閃存塊當前導通電壓的降低量大于第一閾值時，將所述閃存塊當前導通電壓的降低量減1；或

所述閃存控制器在所述當前讀操作所使用的參考電壓大于LDPC當前支持的參考電壓、且所述閃存塊當前導通電壓的降低量小于等于第一閾值時，將所述LDPC當前支持的參考電壓的值加1，并將所述閃存塊當前導通電壓的降低量設置為第二閾值，所述第二閾值大于所述第一閾值。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，還包括：

所述閃存控制器在所述待讀取數據所在的閃存塊所處的讀取階段為第二階段時，從所述閃存塊的所有非讀字線中確定出熱非讀字線和冷非讀字線；所述第二階段為當前讀操作所使用的參考電壓大于LDPC當前支持的參考電壓、且所述閃存塊當前導通電壓的降低量小于等于第一閾值的階段；

所述閃存控制器根據所述閃存塊當前導通電壓的降低量，確定出所述閃存塊的熱非讀字線上降低后的導通電壓，將初始導通電壓作為冷非讀字線上的導通電壓，并設置待讀字線的讀取電壓；

所述閃存控制器根據所述閃存塊的熱非讀字線上降低后的導通電壓、所述冷非讀字線上的導通電壓和所述待讀字線的讀取電壓，讀取數據。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述閃存控制器從所述閃存塊的所有非讀字線中確定出熱非讀字線和冷非讀字線，包括：

所述閃存控制器將所述閃存塊中讀取次數大于第三閾值的非讀字線確定為熱非讀字線，將所述閃存塊中讀取次數小于等于第三閾值的非讀字線確定為冷非讀字線。

5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，在所述閃存控制器根據所述閃存塊的熱非讀字線上降低后的導通電壓、所述冷非讀字線上的導通電壓和所述待讀字線的讀取電壓，讀取數據之后，還包括：

所述閃存控制器在確定所述當前讀操作所使用的參考電壓大于LDPC當前支持的參考電壓、且所述閃存塊當前導通電壓的降低量大于第一閾值時，將所述閃存塊當前導通電壓的降低量減1；或

所述閃存控制器在確定所述當前讀操作所使用的參考電壓大于LDPC當前支持的參考電壓、且所述閃存塊當前導通電壓的降低量小于等于第一閾值時，確定所述LDPC當前支持的參考電壓是否小于第四閾值；若是，則將所述LDPC當前支持的參考電壓的值加1，并將所述閃存塊當前導通電壓的降低量設置為第二閾值；若否，則刷新所述閃存塊；其中所述第二閾值大于所述第一閾值。

6.一種閃存控制器，其特征在于，包括：

輸入輸出I/O接口，用于獲取數據讀取請求，所述數據讀取請求包括待讀取數據的地址；

處理器，用于根據所述I/O接口獲取的待讀取數據的地址，確定所述待讀取數據所在的閃存塊；在所述待讀取數據所在的閃存塊所處的讀取階段為第一階段時，根據所述閃存塊當前導通電壓的降低量，確定出所述閃存塊的非讀字線上降低后的導通電壓，并設置待讀字線的讀取電壓；其中，所述第一階段為當前讀操作所使用的參考電壓小于等于低密度校驗碼LDPC當前支持的參考電壓、且所述閃存塊當前導通電壓的降低量大于第一閾值的階段；以及根據所述閃存塊上非讀字線上降低后的導通電壓和所述待讀字線的讀取電壓，讀取數據；

所述I/O接口，還用于輸出所述處理器讀取的數據。