[發明專利]發光二極管芯片

有效

• 申請號: 201710696041.2
• 申請日: 2012-08-23
• 公開（公告）號: CN107516703B
• 公開（公告）日: 2019-06-14
• 發明（設計）人: K.佩爾茨爾邁爾;K.格爾克;R.瓦爾特;K.恩格爾;G.魏斯;M.毛特;S.拉梅爾斯貝格爾
• 申請（專利權）人: 奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/40;H01L33/42;H01L33/56;H01L33/60;H01L33/62
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張濤

1.發光二極管芯片（1），帶有半導體層序列（2），所述半導體層序列具有適于產生電磁輻射（13）的有源層（3），其中

-該發光二極管芯片（1）在前側上具有輻射出射面（4），

-在與所述輻射出射面（4）相對的背側上，所述發光二極管芯片（1）至少局部地具有反射膜層（5），該反射膜層包含銀，

-在所述反射膜層（5）上布置有保護層（6），

-所述保護層（6）具有透明導電氧化物，

-所述反射膜層（5）在與所述保護層（6）相對的界面上鄰接于所述半導體層序列（2），

-第一電連接層（10）被布置在所述保護層（6）的與所述反射膜層（5）相對的側上，

-所述第一電連接層（10）由多個子層（7,8,9）形成，以及

-所述子層（7,8,9）從所述反射膜層（5）出發包括鉑層（7）、金層（8）和鈦層（9）。

2.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，

其中所述保護層（6）具有ZnO、ZnO:Ga、ZnO:Al、ITO、IZO或IGZO。

3.根據權利要求1或2所述的發光二極管芯片，

其中所述保護層（6）具有在5nm至500nm之間的厚度。

4.根據權利要求3所述的發光二極管芯片，

其中所述保護層（6）具有在10nm和100nm之間的厚度。

5.根據權利要求1或2所述的發光二極管芯片，

其中所述反射膜層（5）和/或所述保護層（6）的側邊緣（16）至少局部地被電絕緣層（14）覆蓋。

6.根據權利要求5所述的發光二極管芯片，

其中所述電絕緣層（14）是氧化物層或氮化物層。

7.根據權利要求1或2所述的發光二極管芯片，

其中所述半導體層序列（2）的鄰接所述反射膜層（5）的區域是p型半導體區域（2a）。

8.根據權利要求1或2所述的發光二極管芯片，

其中所述發光二極管芯片（1）在從所述反射膜層（5）看與所述半導體層序列（2）相對的側上與載體（19）連接。

9.根據權利要求1或2所述的發光二極管芯片，

其中所述發光二極管芯片（1）不具有生長襯底。

10.根據權利要求1或2所述的發光二極管芯片，

其中

-所述發光二極管芯片（1）具有第一電連接層（10）和第二電連接層（15），

-所述第一電連接層（10）和所述第二電連接層（15）朝向所述半導體層序列（2）的背側并且借助電絕緣層（14）相互電絕緣，

-所述第二電連接層（15）的部分區域從所述半導體層序列（2）的背側穿過所述有源層（3）的至少一個通孔（21a，21b）向前側方向延伸。