[發明專利]硒硅銀鋇和硒硅銀鋇中遠紅外非線性光學晶體及制備方法和用途

有效

• 申請號: 201710695513.2
• 申請日: 2017-08-15
• 公開（公告）號: CN107399722B
• 公開（公告）日: 2019-05-14
• 發明（設計）人: 潘世烈;年樂顏;武奎
• 申請（專利權）人: 中國科學院新疆理化技術研究所
• 主分類號: C01B19/00
• 分類號: C01B19/00;C30B29/46;C30B1/10
• 代理公司: 烏魯木齊中科新興專利事務所(普通合伙) 65106
• 代理人: 張莉

1.一種化合物硒硅銀鋇，其特征在于該化合物的化學式為BaAg₂SiSe₄，分子量為697.01，屬于四方晶系，空間群為，晶胞參數為a = b = 7.066(3) ?，c = 8.233(7)?，α= β= γ= 90°、Z = 2，單胞體積V = 411.1(5) ?³，為多晶粉末。

2.根據權利要求1所述的化合物硒硅銀鋇的制備方法，其特征在于采用高溫固相反應法，具體操作按下列步驟進行：

a、在水含量和氧氣含量為0.01-0.1 ppm的氣密容器為充有惰性氣體氮氣的手套箱內將單質Ba，單質Ag，單質Si與單質Se按摩爾比1:2:1:4混合均勻后放入干凈的石墨坩堝中，裝入長為20 cm、直徑為10 mm的石英玻璃管中，將裝有原料的石英管在真空度為10^-5-10^-3Pa的條件下抽真空后封口；

b、將步驟a中封好的石英管以溫度20-40℃/h的升溫速率從室溫升至400-700 ℃，保溫30-60小時，再以溫度20-40 ℃/h升溫至800-1050 ℃，保溫70-110小時；

c、以溫度2-7 ℃/h的速率冷卻降至室溫，取出樣品放入研缽中搗碎，研磨，即得到化合物BaAg₂SiSe₄多晶粉末，將得到的化合物硒硅銀鋇多晶粉末進行X射線分析，所得X射線衍射譜圖與用單晶結構解析的BaAg₂SiSe₄理論X射線譜圖一致。

3.一種硒硅銀鋇中遠紅外非線性光學晶體，其特征在于該晶體化學式為BaAg₂SiSe₄，分子量為697.01，為非中心對稱結構單晶，屬于四方晶系，空間群為，晶胞參數為a = b= 7.066(3) ?，c = 8.233(7) ?，α= β= γ= 90°、Z = 2，單胞體積V = 411.1(5) ?³。

4.如權利要求3所述的硒硅銀鋇中遠紅外非線性光學晶體的制備方法，其特征在于按下列步驟進行：

a、在水含量和氧氣含量為0.01-0.1 ppm的氣密容器為充有惰性氣體氮氣的手套箱內將單質Ba，單質Ag，單質Si與單質Se按摩爾比1:2:1:4混合均勻后放入干凈的石墨坩堝中，裝入長為20 cm、直徑為10 mm的石英玻璃管中，將裝有原料的石英管在真空度為10^-5-10^-3Pa的條件下抽真空后封口；

b、將步驟a中封好的石英管以溫度20-40 ℃/h的升溫速率從室溫升至400-700 ℃，保溫30-60小時，再以溫度20-40 ℃/h升溫至800-1050 ℃，保溫70-110小時；

c、以溫度2-7 ℃/h的速率冷卻降至室溫，得到硒硅銀鋇BaAg₂SiSe₄中遠紅外非線性光學晶體。

5.如權利要求3所述的硒硅銀鋇中遠紅外非線性光學晶體在制備紅外通訊器件、紅外波段激光倍頻晶體以及紅外激光制導器件中的應用。