[發明專利]跨域ESD保護

有效

• 申請號: 201710695328.3
• 申請日: 2017-08-14
• 公開（公告）號: CN107768369B
• 公開（公告）日: 2023-07-28
• 發明（設計）人: 賴大偉;斯梅代斯·塔伊德
• 申請（專利權）人: 恩智浦有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 潘軍

1.一種半導體裝置，其特征在于，所述半導體裝置包括：

觸發布置，所述觸發布置耦合到第一參考電壓節點，所述觸發布置具有用于觸發指示的輸出節點；以及

接口電路，所述接口電路耦合到不同于所述第一參考電壓節點的第二參考電壓節點，其中，所述接口電路包括具有偏壓到所述觸發布置的所述輸出節點的體區電極的晶體管；

第二晶體管，所述第二晶體管耦合在所述晶體管與第三參考電壓節點之間，其中，所述第二晶體管的柵極電極偏壓到所述觸發布置的觸發節點；且所述輸出節點處的所述觸發指示是所述觸發節點處的信號的邏輯反。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，所述觸發布置被配置成響應于靜電放電事件而在所述輸出節點處提供放電電壓，其特征在于，所述體區電極連接到所述輸出節點，以響應于所述靜電放電事件而使所述體區電極偏壓到所述放電電壓。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

所述觸發布置被配置成響應于靜電放電事件而在所述觸發節點處提供邏輯低電壓；且

所述觸發指示包括所述輸出節點處的邏輯高電壓。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于：

所述第二晶體管包括耦合到所述第三參考電壓節點的源極電極和耦合到所述體區電極的漏極電極；且

所述晶體管包括耦合到所述第二參考電壓節點的漏極電極和耦合到所述體區電極的源極電極。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，所述半導體裝置進一步包括耦合到所述第一參考電壓節點的第二接口電路，所述第二接口電路包括耦合到接口的第二輸出節點，其中，所述晶體管的柵極電極耦合到所述接口。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二接口電路包括：

第三晶體管，所述第三晶體管具有耦合到所述第一參考電壓節點的源極電極、耦合到所述觸發布置的所述輸出節點的柵極電極和耦合到所述第二輸出節點的漏極電極；以及

第四晶體管，所述第四晶體管具有耦合到所述第二輸出節點的漏極電極、耦合到所述觸發布置的所述輸出節點的柵極電極和耦合到第四參考電壓節點的源極電極。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，所述半導體裝置進一步包括耦合在所述第三參考電壓節點與所述第四參考電壓節點之間的反并聯二極管布置。

8.一種半導體裝置，其特征在于，所述半導體裝置包括：

第一域電路，所述第一域電路包括：

保護電路，所述保護電路耦合在第一參考電壓節點與第二參考電壓節點之間；以及

驅動器電路，所述驅動器電路耦合在所述第一參考電壓節點與所述第二參考電壓節點之間，所述驅動器電路具有輸出節點；

接口，所述接口耦合到所述驅動器電路的所述輸出節點；以及

第二域電路，所述第二域電路耦合在第三參考電壓節點與第四參考電壓節點之間，所述第二域電路包括具有耦合到所述接口的柵極電極的晶體管，其中，所述晶體管的體區電極耦合到所述保護電路；

第二晶體管，所述第二晶體管耦合在所述晶體管與第三參考電壓節點之間，其中，所述第二晶體管的柵極電極偏壓到觸發布置的觸發節點；且所述輸出節點處的所述觸發指示是所述觸發節點處的信號的邏輯反。

9.一種制造半導體裝置的方法，其特征在于，所述方法包括：

在半導體襯底上形成第一域電路，所述第一域電路耦合在第一參考電壓節點與第二參考電壓節點之間；

在所述半導體襯底上形成第二域電路的晶體管，所述第二域電路耦合在第三參考電壓節點與第四參考電壓節點之間；

在所述第一域電路的驅動器電路的輸出節點與所述晶體管的柵極電極之間形成通信接口；

在所述晶體管的體區電極與所述第一域電路的保護電路的節點之間提供電氣連接；以及

在晶體管與第三參考電壓節點之間形成第二晶體管，所述第二晶體管的柵極電極偏壓到觸發布置的觸發節點；且所述輸出節點處的所述觸發指示是所述觸發節點處的信號的邏輯反。