[發明專利]制造半導體裝置的方法

有效

• 申請號: 201710695218.7
• 申請日: 2017-08-15
• 公開（公告）號: CN108122839B
• 公開（公告）日: 2022-10-28
• 發明（設計）人: 陳志良;賴志明;楊超源;曾健庭;蕭錦濤;劉如淦;吳偉豪;周雷峻
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8232
• 分類號: H01L21/8232;H01L21/8238;H01L27/092
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

1.一種制造半導體裝置的方法，其特征在于，所述方法包括：

通過沉積工藝而在襯底上方提供第一材料；以及

在所述第一材料的兩個相對的側壁上分別形成柵極電極線，

其中所述第一材料具有比使用光刻工藝所形成的所述柵極電極線之間的切口的最小切口寬度小的材料寬度。

2.如權利要求1所述的制造半導體裝置的方法，其特征在于，還包括：

接收半導體裝置，所述半導體裝置包括位于所述襯底上方的第二材料及環繞所述第二材料的介電層；

移除所述第二材料，以在所述介電層中形成凹槽；

使用第一材料填充所述凹槽；以及

移除所述介電層，

其中形成所述柵極電極線的方法包括：在所述襯底及所述第一材料之上沉積柵極電極材料；以及移除所述第一材料的頂表面上的所述柵極電極材料。

3.如權利要求1所述的制造半導體裝置的方法，其特征在于，所述第一材料在所述柵極電極線之間留存，從而在形成所述柵極電極線之后分隔所述柵極電極線。

4.如權利要求1所述的制造半導體裝置的方法，其特征在于，還包括：移除所述襯底的上部部分以形成鰭，所述鰭從所述襯底的下部部分延伸且具有與所述第一材料的材料寬度實質上相等的鰭寬度。

5.如權利要求1所述的制造半導體裝置的方法，其特征在于，還包括：

移除所述第一材料，以在所述柵極電極線之間形成切口；以及

移除所述襯底的上部部分，以形成鰭，所述鰭從所襯底的下部部分延伸且具有與所述切口的切口寬度實質上相等的鰭寬度。

6.如權利要求1所述的制造半導體裝置的方法，其特征在于，還包括：接收半導體裝置，所述半導體裝置包括一對第二材料、一對第三材料以及介電層，所述一對第二材料位于所述襯底上方，所述一對第三材料位于所述襯底上方且具有與所述一對第二材料的蝕刻選擇性不同的蝕刻選擇性，且所述介電層環繞所述一對第二材料及所述一對第三材料。

7.如權利要求6所述的制造半導體裝置的方法，其特征在于，接收所述半導體裝置使得所述一對第二材料及所述一對第三材料沿所述襯底的長邊方向交替排列。

8.如權利要求6所述的制造半導體裝置的方法，其特征在于，還包括：

移除所述一對第二材料中的一者，以在所述介電層中形成凹槽；

使用所述第一材料填充所述凹槽；以及

移除所述介電層，

其中形成所述柵極電極線的方法包括：在所述襯底及所述第一材料之上沉積柵極電極材料；以及移除所述第一材料的頂表面上的所述柵極電極材料。

9.如權利要求6所述的制造半導體裝置的方法，其特征在于，還包括：

移除所述一對第二材料中的一者；

移除所述一對第三材料中的一者；以及

蝕刻所述襯底，以在所述一對第二材料中的另一者及所述一對第三材料中的另一者之下形成鰭。

10.如權利要求6所述的制造半導體裝置的方法，其特征在于，還包括：

蝕刻所述襯底，以在所述一對第二材料及所述一對第三材料之下形成有主動鰭及虛設鰭；以及

移除所述虛設鰭。

11.一種半導體裝置，其特徵在于，包括：

襯底；

鰭，位于所述襯底上方并在第一方向上延伸，且包括源極區、漏極區、以及位于所述源極區與所述漏極區之間的溝道區；以及

一對柵極電極線，在橫切所述第一方向的第二方向上延伸，并沿所述襯底的長邊方向排列，且通過切口材料而被分隔開，所述切口材料具有與所述鰭的鰭寬度實質上相等的材料寬度。

12.如權利要求11所述的半導體裝置，其特征在于，所述切口材料具有與所述一對柵極電極線中的一者的頂表面實質上齊平的頂表面。