[發明專利]一種硅片PECVD鍍膜效果的檢測方法

有效

• 申請號: 201710692556.5
• 申請日: 2017-08-14
• 公開（公告）號: CN107546144B
• 公開（公告）日: 2019-06-11
• 發明（設計）人: 張曉朋;李翠雙;魏雙雙;張建旗;尚琪
• 申請（專利權）人: 英利能源（中國）有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L31/18;H01L31/0216
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 申超平

1.一種硅片PECVD鍍膜效果的檢測方法，其特征在于，包括：

將工藝腔室各單管的硅烷和氨氣的比例調整為一致，所述工藝腔室包括多個單管；

將工藝腔室第一部分單管的硅烷流量設定為第一流量值，將工藝腔室第二部分單管的硅烷流量設定為第二流量值，將工藝腔室各單管的氨氣流量設定為第三流量值；

將硅片放在石墨舟中，以第一預設速度進入工藝腔室；

將盛放硅片的石墨舟在工藝腔室中停留預設時長，工藝腔室的各單管對所述硅片進行鍍膜；

將盛放硅片的石墨舟以第二預設速度傳出工藝腔室；

對所述硅片的鍍膜進行測量，并根據鍍膜測量結果確定工藝腔室各單管的鍍膜效果。

2.根據權利要求1所述的硅片PECVD鍍膜效果的檢測方法，其特征在于，所述將硅片放在石墨舟中，以第一預設速度進入工藝腔室之前，還包括：

將所述工藝腔室的微波功率設定為預設功率值；

根據預設壓力值范圍設置所述工藝腔室的壓力；

根據預設溫度值范圍設置所述工藝腔室的溫度。

3.根據權利要求1所述的硅片PECVD鍍膜效果的檢測方法，其特征在于，所述對所述硅片的鍍膜進行鍍膜效果的測量，包括：

對所述硅片的鍍膜的厚度進行測量；

對所述硅片的鍍膜的折射率進行測量；

根據測量得到的所述硅片的鍍膜的厚度和折射率，確定所述硅片的鍍膜測量結果。

4.根據權利要求1所述的硅片PECVD鍍膜效果的檢測方法，其特征在于，所述第一流量值的范圍為150標準毫升/分鐘～180標準毫升/分鐘。

5.根據權利要求1所述的硅片PECVD鍍膜效果的檢測方法，其特征在于，所述第二流量值的范圍為90標準毫升/分鐘～110標準毫升/分鐘。

6.根據權利要求1所述的硅片PECVD鍍膜效果的檢測方法，其特征在于，所述工藝腔室中單管的數量為4根、6根或8根。

7.根據權利要求6所述的硅片PECVD鍍膜效果的檢測方法，其特征在于，當工藝腔室中單管的數量為6根時，所述第一部分單管為工藝腔室的前3根單管，所述第二部分單管為工藝腔室的后3根單管。

8.根據權利要求1所述的硅片PECVD鍍膜效果的檢測方法，其特征在于，第三流量值的范圍為300標準毫升/分鐘～350標準毫升/分鐘。

9.根據權利要求1所述的硅片PECVD鍍膜效果的檢測方法，其特征在于，所述第一預設速度的范圍和第二預設速度范圍均為1500厘米/分鐘～2000厘米/分鐘。

10.根據權利要求1所述的硅片PECVD鍍膜效果的檢測方法，其特征在于，所述預設時長為1分30秒～2分30秒。