[發明專利]顯示基板及顯示裝置在審
| 申請號: | 201710691080.3 | 申請日: | 2017-08-14 |
| 公開(公告)號: | CN107342284A | 公開(公告)日: | 2017-11-10 |
| 發明(設計)人: | 鄭超;楊康鵬;許育民 | 申請(專利權)人: | 武漢天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京晟睿智杰知識產權代理事務所(特殊普通合伙)11603 | 代理人: | 于淼 |
| 地址: | 430074 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板,包括顯示區和圍繞所述顯示區的非顯示區;其特征在于,還包括:
設置在所述非顯示區的多個焊盤,各所述焊盤與顯示芯片的引腳一一對應電連接;
靜電防護電路,所述靜電防護電路與至少一個焊盤電連接,用于導出該焊盤的靜電;
其中,所述靜電防護電路形成在用于綁定所述顯示芯片的綁定區。
2.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于:
所述靜電防護電路包括至少一個靜電防護單元;
所述靜電防護單元包括輸入信號端、第一輸出信號端和第二輸出信號端;
其中,所述輸入信號端與至少一個焊盤電連接;
所述第一輸出信號端與所述顯示基板的第一電壓信號端電連接,所述第二輸出信號端與所述顯示基板的第二電壓信號端電連接。
3.根據權利要求2所述的顯示基板,其特征在于,各所述靜電防護單元包括至少一個晶體管單元;
各所述晶體管單元包括第一NMOS晶體管和第一PMOS晶體管;
所述第一PMOS晶體管的柵極和源極與所述第一電壓信號端電連接;
所述第一NMOS晶體管的柵極和源極與所述第二電壓信號端電連接;
所述第一PMOS晶體管的漏極、所述第一NMOS晶體管的漏極與至少一個所述焊盤電連接;
所述第一電壓信號端所提供的第一電壓信號Vgh和所述第二電壓信號端所提供的第二電壓信號Vgl滿足:
Vgh>Vgl。
4.根據權利要求3所述的顯示基板,其特征在于:
所述顯示基板包括多條掃描線以及與所述多條掃描線絕緣相交的數據線;
其中,所述掃描線形成在第一金屬層,所述數據線形成在第二金屬層;
所述靜電防護電路通過引線與焊盤電連接;
所述引線與所述掃描線同層設置;或者
所述引線與所述數據線同層設置。
5.一種顯示裝置,包括如權利要求1-4任意一項所述的顯示基板其特征在于,還包括顯示芯片;
所述顯示芯片包括包括芯片本體和多個引腳;
所述引腳包括信號輸入引腳和信號輸出引腳;
所述焊盤包括第一焊盤,各所述第一焊盤與顯示芯片的信號輸入引腳一一對應電連接,所述信號輸入引腳用于接收顯示基板外部輸入的電信號。
6.根據權利要求5所述的顯示裝置,其特征在于:
多個信號輸入引腳劃分為至少一個信號輸入組,各所述信號輸入組包括至少一個信號輸入引腳;
同一個信號輸入組中的各信號輸入引腳接收同一路所述顯示基板外部輸入的電信號。
7.根據權利要求6所述的顯示裝置,其特征在于:
所述靜電防護電路包括多個靜電防護單元;
各所述靜電防護單元包括至少一個晶體管單元;
各所述晶體管單元包括第一NMOS晶體管和第一PMOS晶體管;
所述第一PMOS晶體管的柵極和源極與第一電壓信號端電連接;
所述第一NMOS晶體管的柵極和源極與第二電壓信號端電連接;
所述第一PMOS晶體管的漏極、所述第一NMOS晶體管的漏極與至少一個所述第一輸入焊盤電連接;
所述第一電壓信號端所提供的第一電壓信號Vgh和所述第二電壓信號端所提供的第二電壓信號Vgl滿足:
Vgh>Vgl;
同一個信號輸入組中的至少一個信號輸入引腳與同一個所述靜電防護單元電連接。
8.根據權利要求7所述的顯示裝置,其特征在于:
各所述信號輸入引腳所接收的所述顯示基板外部輸入的電信號的電壓值Vin滿足:
Vgl≤Vin≤Vgh。
9.根據權利要求7或8所述的顯示裝置,其特征在于,還包括柔性線路板;
所述柔性線路板上設置有多個綁定端子;
所述綁定端子用于將所述顯示基板外部輸入的電信號傳輸至各所述信號輸入引腳。
10.根據權利要求9所述的顯示裝置,其特征在于:
所述綁定端子還用于向所述顯示基板傳輸所述第一電壓信號和所述第二電壓信號。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





