[發明專利]包含基準標記的光掩模

在審

• 申請號: 201710690064.2
• 申請日: 2017-08-14
• 公開（公告）號: CN109143801A
• 公開（公告）日: 2019-01-04
• 發明（設計）人: 李信昌;陳嘉仁;林志誠;林秉勛
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F9/00
• 分類號: G03F9/00
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

一種光掩模包括：圖案區；以及多個缺陷，位于所述圖案區中。所述光掩模進一步包括：第一基準標記，位于所述圖案區之外，其中所述第一基準標記包括所述光掩模的識別信息，所述第一基準標記具有第一大小及第一形狀。所述光掩模進一步包括：第二基準標記，位于所述圖案區之外。所述第二基準標記具有：第二大小，不同于所述第一大小，或者第二形狀，不同于所述第一形狀。

技術領域

本發明的實施例涉及一種包含基準標記(fiducial mark)的光掩模。

背景技術

半導體集成電路(integrated circuit，IC)行業已經歷急速發展。在集成電路演進的過程中，一般來說已增大功能密度(即，每芯片區域中內連裝置的數目)，同時已減小幾何結構大小(即，可使用制作工藝而生成的最小組件(或線))。這種按比例縮減工藝一般來說通過提高生產效率且降低相關成本來提供效益。此種按比例縮減也已使得加工及制造集成電路的復雜度增大。

為幫助進行按比例縮減，使用極紫外(extreme ultraviolet，EUV)光刻工藝來將晶片圖案化。在光刻曝光期間，輻射在照到涂布在晶片上的光刻膠之前會接觸光掩模。輻射將圖案從光掩模轉移到光刻膠上。選擇性地移除光刻膠以顯露出圖案。襯底接著經歷利用剩余光刻膠的形狀而在所述襯底上生成特征的加工步驟。當加工步驟完成時，重新涂覆光刻膠且使用不同的掩模來使晶片暴露出以得到不同的圖案。通過此方式，將各特征進行層疊而形成半導體裝置。

發明內容

根據本發明的某些實施例，提供一種光掩模包括：圖案區；以及多個缺陷，位于所述圖案區中。所述光掩模進一步包括：第一基準標記，位于所述圖案區之外，其中所述第一基準標記包括所述光掩模的識別信息，所述第一基準標記具有第一大小及第一形狀。所述光掩模進一步包括：第二基準標記，位于所述圖案區之外。所述第二基準標記具有：第二大小，不同于所述第一大小，或者第二形狀，不同于所述第一形狀。

附圖說明

結合附圖閱讀以下詳細說明，會最好地理解本發明實施例的各個方面。應注意，根據本行業中的標準慣例，各種特征并非按比例繪制。事實上，為論述清晰起見，可任意增大或減小各種特征的尺寸。

圖1是根據一些實施例的光刻設備的示意圖。

圖2A是根據一些實施例的光掩模的平面圖。

圖2B是根據一些實施例的光掩模的平面圖。

圖3是根據一些實施例的光掩模坯體(photomask blank)的剖視圖。

圖4是根據一些實施例的使用光掩模制作半導體裝置的方法的流程圖。

圖5是根據一些實施例的用于制作半導體裝置的系統的示意圖。

圖6是根據一些實施例的集成電路制造系統及與所述集成電路制造系統相關聯的集成電路制造流程的方塊圖。

[符號的說明]

100：光刻設備

110：光源

120：晶片

130、200、200’：光掩模

140：光學組件

210a、210b、210c、210d：第一基準標記

220a、220b、220c、220d：第二基準標記

230、230a’、230b’、230c’、230d’：缺陷

240：區

250a、250b、250c、250d、250e、250f：圖案/子圖案/反射性或傳輸性圖案

255：特征