[發(fā)明專利]基于雙諧振環(huán)結(jié)構(gòu)、可切換的寬頻太赫茲波完美吸收體

有效

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• 申請日: 2017-08-11
• 公開（公告）號: CN107579354B
• 公開（公告）日: 2019-10-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陸亞林;趙毅;黃秋萍;蔡宏磊
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學技術(shù)大學
• 主分類號: H01Q17/00
• 分類號: H01Q17/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 張國梁

1.一種基于雙諧振環(huán)結(jié)構(gòu)、可切換的寬頻太赫茲波完美吸收體，包括底層金屬層，第一介質(zhì)層，第一金屬微納結(jié)構(gòu)層，第二介質(zhì)層，第二金屬微納結(jié)構(gòu)層，其中第一介質(zhì)層和第一金屬微納結(jié)構(gòu)層之間包括二氧化釩層，其中第二金屬微納結(jié)構(gòu)層為二氧化釩微納結(jié)構(gòu)層，其中第一金屬微納結(jié)構(gòu)層和第二金屬微納結(jié)構(gòu)層為雙諧振環(huán)結(jié)構(gòu)的周期陣列。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太赫茲波完美吸收體，其中第二金屬微納結(jié)構(gòu)層包括兩個以上大小不同的諧振環(huán)結(jié)構(gòu)的周期陣列。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太赫茲波完美吸收體，其中第二金屬微納結(jié)構(gòu)層的陣列的周期是10μm-300μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的太赫茲波完美吸收體，其中第一金屬微納結(jié)構(gòu)層包括兩個以上大小不同的諧振環(huán)結(jié)構(gòu)的周期陣列。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的太赫茲波完美吸收體，其中第一金屬微納結(jié)構(gòu)層的陣列的周期是10μm-300μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的太赫茲波完美吸收體，其中第一金屬微納結(jié)構(gòu)層的材料包括金屬材料金、銀、鉑、鋁、銅。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的太赫茲波完美吸收體，其中底層金屬層的材料包括金屬材料金、銀、鉑、鋁、銅。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的太赫茲波完美吸收體，其中第一和/或第二介質(zhì)層的材料包括二氧化硅、FR-4、聚酰亞胺樹脂、氟化鎂。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的太赫茲波完美吸收體，其中所述太赫茲波完美吸收體還包括在底層金屬層下方的基底。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的太赫茲波完美吸收體，其還包括外部溫度控制結(jié)構(gòu)。

11.一種制備權(quán)利要求1-10任一項所述的太赫茲波完美吸收體的方法，包括1)在襯底上生長底層金屬層、第一介質(zhì)層和二氧化釩層，2)加工第一金屬微納結(jié)構(gòu)層，3)加工第二介質(zhì)層，4)加工第二微納結(jié)構(gòu)層。