[發(fā)明專利]一種阻隔膜

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710689774.3
• 申請日: 2017-08-14
• 公開（公告）號: CN107482131B
• 公開（公告）日: 2019-05-10
• 發(fā)明（設計）人: 張克然
• 申請（專利權）人: 寧波安特弗新材料科技有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京策略律師事務所 11546
• 代理人: 張華

本發(fā)明涉及一種光學用薄膜，尤其涉及一種光學用阻隔膜及其制備方法。為了降低阻隔膜制備工藝的復雜性和降低生產成本，本發(fā)明提供一種阻隔膜及其制備方法。所述阻隔膜包括基材層和阻隔層，所述阻隔層包括第一阻隔層和第二阻隔層；所述第一阻隔層在基材層的上表面，第二阻隔層在第一阻隔層的上表面。所述阻隔層在紫外光固化作用下分層得到第一阻隔層和第二阻隔層。本發(fā)明提供的阻隔膜具有較高的單層水氧透過率以及高阻隔性，廣泛應用于液晶顯示設備，能夠更好的保護顯示設備，提高顯示器的使用壽命。本發(fā)明提供的阻隔膜的制備方法降低了工藝的復雜性，制備過程不需要真空環(huán)境，工藝簡單，便于操作，提高生產良率。

技術領域

本發(fā)明涉及一種光學用薄膜，尤其涉及一種光學用阻隔膜及其制備方法。

背景技術

傳統(tǒng)LED背光液晶的色域只有70％NTSC，色彩表現(xiàn)力一般。如今電子設備開始采用量子點膜技術和OLED技術，極大的提高色域，達到100％全色域甚至更高，顯示更加明亮，色彩更加豐富多彩。OLED和量子點對環(huán)境中的水汽和氧氣非常敏感，容易發(fā)生衰減，最直接有效的方法是將其與空氣中的水氧阻隔起來。阻隔膜的阻隔性，對量子點和OLED顯示設備的使用性能和壽命至關重要。

目前，阻隔膜主要采用PVD或PECVD的方法制備而成，一般需要達到較高的真空度之后，通過電壓將靶材上的原子擊出后，沉積在基材的表面，這種制備方法對環(huán)境的要求非常高，工藝復雜性高且具有較高的成本。在非真空環(huán)境下制備阻隔層，并保證阻隔膜的阻隔性，將極大的提高生產效率，減少工藝的復雜性，提高產品的得率和良率。

發(fā)明內容

為了降低阻隔膜制備工藝的復雜性和降低生產成本，本發(fā)明提供一種阻隔膜及其制備方法。本發(fā)明提供的阻隔膜包括基材層和阻隔層，所述阻隔層包括第一阻隔層和第二阻隔層；所述第一阻隔層在基材層的上表面，第二阻隔層在第一阻隔層的上表面。本發(fā)明提供的阻隔膜具有較高的透光率和阻隔性，制備過程不需要真空環(huán)境，工藝簡單，具有較低的生產成本。

為了解決上述技術問題，本發(fā)明提供下述技術方案：

本發(fā)明提供一種阻隔膜，其特征在于，所述阻隔膜包括基材層和阻隔層，所述阻隔層包括第一阻隔層和第二阻隔層，所述第一阻隔層在基材層的上表面，第二阻隔層在第一阻隔層的上表面。進一步的，所述阻隔膜在非真空的條件下制備。

進一步的，所述阻隔層在紫外光固化作用下分層得到第一阻隔層和第二阻隔層。

進一步的，所述基材層為透明高分子薄膜，第一阻隔層為硅氧氮化合物(SiONx)，第二阻隔層為硅氧化合物(SiOx)。

進一步的，所述SiONx中X的范圍為1-1.4，所述SiOx中X的范圍為1.8-2.2。

進一步的，所述基材層的厚度為50-150μm，第一阻隔層的厚度為100-500nm，第二阻隔層的厚度為50-200nm。

進一步的，所述基材層的厚度優(yōu)選為75-100μm。

進一步的，所述基材層的厚度最優(yōu)選為90-100μm。

進一步的，所述第一阻隔層的厚度優(yōu)選為200-300nm。

進一步的，所述第一阻隔層的厚度最優(yōu)選為200-250nm。

進一步的，所述第二阻隔層的厚度優(yōu)選為100-150nm。

進一步的，所述第二阻隔層的厚度優(yōu)選為100nm。

進一步的，所述基材層的材料選自聚乙烯(PE)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚偏氯乙烯(PVDF)和聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)中的一種。

進一步的，所述基材層的材料優(yōu)選為PET、PVDF或PEN。

進一步的，所述基材層的材料優(yōu)選為PVDF。