[發明專利]一種電池片背部鈍化工藝在審
| 申請號: | 201710689679.3 | 申請日: | 2017-08-14 |
| 公開(公告)號: | CN107452837A | 公開(公告)日: | 2017-12-08 |
| 發明(設計)人: | 王勤振;吳文明;馬東方 | 申請(專利權)人: | 通威太陽能(安徽)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 昆明合眾智信知識產權事務所53113 | 代理人: | 張璽 |
| 地址: | 230088 安徽省合*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電池 背部 鈍化 工藝 | ||
1.一種電池片背部鈍化工藝,其特征在于,包括以下步驟:
1)擴散:將制絨后的P型單晶硅進行P擴散,擴散溫度為890-910℃,方阻為70-100Ω/cm;
2)拋光清洗:利用拋光酸腐蝕溶液或者堿腐蝕溶液將硅片背面腐蝕并進行拋光,用5-10%的HF溶液清洗硅片5-8min,去除正面的磷硅玻璃,用主要成分為H2O2和NH3.H2O的混合溶液清洗硅片背面,控制溫度為90-100℃;
3)背部鈍化沉積:在硅片背面利用PECVD沉積氧化鋁,沉積薄膜厚度為30nm-60nm,在溫度為350-400℃時退火,退火時間為5-6min;控制沉積氮化硅時的溫度為450-500℃、NH3/SiH4氣流比為6-12:1、氣體總流量為3500-4500sccm,在硅片背面沉積薄膜厚度為75-90nm,正面沉積氮化硅薄膜厚度為60-80nm;
4)激光處理:利用激光局部去除硅片背面沉積的薄膜層,形成若干薄膜開孔;用5-10%的HF溶液清洗硅片背面5-8min,去除背面的激光損傷層;
5)印刷燒結:通過絲網印刷將氧化鋁溶膠涂布于基材上,并形成一預定圖案的涂層,在160-180℃干燥10min,接著在560-600℃的溫度下燒結,基材上形成具有該預定圖案的鈍化層;
其中,氧化鋁溶膠成分包含以下重量份材料:金屬鋁粉43-50份,PbO-B2O3-SiO2鉛系玻璃粉末30-46份,鄰苯二甲酸酯類10-12份,硅烷偶聯劑6-10份。
2.根據權利要求1中所述的一種電池片背部鈍化工藝,其特征在于,所述P型單晶硅電阻摻雜濃度為0.2-10Ω·cm。
3.根據權利要求1中所述的一種電池片背部鈍化工藝,其特征在于,所述拋光腐蝕溶液為KOH溶液。
4.根據權利要求1中所述的一種電池片背部鈍化工藝,其特征在于,所述鋁粉的中心粒徑為5μm,玻璃粉的中心粒徑為1.3μm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





