[發明專利]陣列基板及其制備方法有效
| 申請號： | 201710687463.3 | 申請日： | 2017-08-11 |
| 公開（公告）號： | CN109390277B | 公開（公告）日： | 2021-03-16 |
| 發明（設計）人： | 曲連杰;貴炳強;齊永蓮;石廣東;劉帥;趙合彬 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/77 | 分類號： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;張天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 陣列 及其 制備 方法 | ||
1.一種陣列基板制備方法，包括在基底上形成第一導電材料層，其特征在于，在形成第一導電材料層后還包括：
通過構圖工藝用樹脂形成覆蓋第一導電材料層部分位置的絕緣結構；
對第一導電材料層進行過刻蝕，除去無絕緣結構覆蓋和位于絕緣結構邊緣部的第一導電材料層，使剩余的第一導電材料層形成第一導電結構，而絕緣結構邊緣部下方產生空隙；
進行退火，使絕緣結構填充其邊緣部下方的空隙；
通過構圖工藝形成第二導電結構，所述第二導電結構具有位于絕緣結構上方的第一圖形和位于無絕緣結構處的第二圖形，且至少部分第一圖形與第二圖形相互連接。
2.根據權利要求1所述的陣列基板制備方法，其特征在于，
所述第一導電結構為公共電極。
3.根據權利要求2所述的陣列基板制備方法，其特征在于，
所述第二導電結構為像素電極。
4.根據權利要求1所述的陣列基板制備方法，其特征在于，
所述絕緣結構的厚度在0.5～2微米之間。
5.根據權利要求4所述的陣列基板制備方法，其特征在于，
所述絕緣結構的厚度在1～1.5微米之間。
6.根據權利要求1所述的陣列基板制備方法，其特征在于，
所述退火的溫度在220～250攝氏度之間，時間在20～30分鐘之間。
7.根據權利要求1所述的陣列基板制備方法，其特征在于，在形成絕緣結構和對第一導電材料層進行過刻蝕之間，還包括：
進行預退火。
8.根據權利要求7所述的陣列基板制備方法，其特征在于，
所述預退火的溫度在120～150攝氏度之間，時間在2～5分鐘之間。
9.根據權利要求1所述的陣列基板制備方法，其特征在于，所述通過構圖工藝用樹脂形成覆蓋第一導電材料層部分位置的絕緣結構包括：
形成樹脂層；
對樹脂層進行曝光；
將曝光的或未曝光的樹脂層除去，使剩余樹脂層形成所述絕緣結構。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
