[發明專利]制作黑硅及黑硅表面鈍化層的方法

有效

• 申請號: 201710686567.2
• 申請日: 2017-08-08
• 公開（公告）號: CN107482084B
• 公開（公告）日: 2019-02-01
• 發明（設計）人: 李華高;雷仁方;廖乃鏝;楊修偉;郭培
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十四研究所
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 重慶輝騰律師事務所 50215
• 代理人: 侯懋琪;侯春樂

1.一種制作黑硅及黑硅表面鈍化層的方法，包括硅材質的工藝片；其特征在于：所述方法包括：

1)將工藝片浸入第一溶液中，待黑硅形成后，將工藝片從第一溶液中取出；所述第一溶液為硝酸銅、過氧化氫和氫氟酸的混合溶液；工藝片浸泡過程中，采用水浴加熱方式，將第一溶液的溫度控制在25～40℃；

2)用氫氟酸溶液對黑硅進行腐蝕，待黑硅表面的自然氧化層被腐蝕掉后，將工藝片清洗干凈；

3)將工藝片浸入第二溶液中，待黑硅表面形成致密的銅膜后，將工藝片從第二溶液中取出，然后用去離子水將工藝片清洗干凈，然后對工藝片進行脫水處理；所述第二溶液為硝酸銅和氫氟酸的混合溶液；

4)在氮氣氛圍中對工藝片進行加熱，加熱溫度為200℃，加熱時間為1小時，加熱過程中，黑硅表面有銅硅生成；加熱結束后，使工藝片暴露在常溫空氣中，黑硅表面就會生長出二氧化硅鈍化層，二氧化硅鈍化層厚度滿足要求后，將工藝片浸入硝酸溶液中，將工藝片上殘留的銅去除干凈，然后將工藝片從硝酸溶液中取出，然后用去離子水將工藝片清洗干凈，然后對工藝片進行脫水處理，操作完成。

2.根據權利要求1所述的制作黑硅及黑硅表面鈍化層的方法，其特征在于：步驟1)的操作結束后，用去離子水將工藝片清洗干凈，然后將工藝片浸入第三溶液中，一定時間后將工藝片從第三溶液中取出，然后再進行步驟2)的操作；所述第三溶液為硝酸銅、氟化氫銨和過氧化氫的混合溶液。

3.根據權利要求1或2所述的制作黑硅及黑硅表面鈍化層的方法，其特征在于：在進行步驟1)的操作之前，按如下方式對工藝片進行預處理：在工藝片表面生長二氧化硅氧化層，然后用氫氟酸溶液將二氧化硅氧化層腐蝕掉。