[發明專利]高階模F?P干涉高溫探針傳感器的制作方法與裝置

在審

• 申請號: 201710686041.4
• 申請日: 2017-08-11
• 公開（公告）號: CN107505065A
• 公開（公告）日: 2017-12-22
• 發明（設計）人: 高社成;張輝;陳振世;熊松松;黃新成;黃炳森;劉偉平
• 申請（專利權）人: 暨南大學
• 主分類號: G01K11/32
• 分類號: G01K11/32;G01D5/353;G02B6/255;G02B6/25
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司44102
• 代理人: 江裕強

1.高階模F-P干涉高溫探針傳感器的制作方法，其特征在于首先將普通單模光纖置于丁烷高溫噴槍下加熱成熔融態，通過拉錐法將其拉至直徑尺寸為30~50微米、長度50~80毫米的微光纖，用于制作傳感器探針頭；然后，通過帶CCD圖像處理的微光纖切割裝置將所述微光纖端面平整切割；將切割后的微光纖與普通單模光纖用熔接機熔接；最后將與普通單模光纖熔接好的微光纖端頭再次置于帶CCD圖像處理的微光纖切割裝置；在將單模光纖拉錐成微光纖過程中通過調整電位移滑塊移動的速度和移動距離，能方便控制微光纖傳感器探頭的直徑尺寸；另外，通過將CCD采集的待切割微光纖的圖像數據傳送至計算機，在計算機中能獲得微光纖的直徑尺寸并相應的確定微光纖切割刀的刀口位置，根據傳感器探頭所需長度，移動電位滑塊的距離，切割出所需的探頭長度，獲得高階模法布里-珀羅干涉高溫探針傳感器。

2.用實現權利要求1所述方法的高階模F-P干涉的高溫探針傳感器的高階模F-P干涉高溫探針傳感器的制作裝置，其特征在于包括微光纖拉錐裝置和微光纖CCD切割裝置；其中所述微光纖拉錐裝置包含電位移平臺（106）、兩個電位移滑塊（103）、兩個光纖夾具（104）、兩個三維光學調節架（110）、丁烷高溫噴槍（111）、電位移平臺控制器（107），其中所述兩個電位移滑塊（103）安裝在電位移平臺（106）的導軌上并能在電位移平臺控制器（107）的控制下沿導軌移動，所述電位移平臺（106）與電位移平臺控制器（107）相連；每個電位移滑塊上均安裝有一個三維光學調節架，每個三維光學調節架上均安裝有一個光纖夾具；丁烷高溫噴槍（111）安裝在電位移平臺（106）上且位于兩個電位移滑塊之間；微光纖CCD切割裝置包含光纖切割刀（105）和CCD（109），光纖切割刀（105）獨立通過一個三維光學調節架（110）安裝在電位移平臺（106）上，CCD（109）置于光纖切割刀（105）的上方，CCD（109）和電位移平臺控制器（107）分別與計算機（108）相連。

3.根據權利要求2所述的高階模F-P干涉的高溫探針傳感器的高階模F-P干涉高溫探針傳感器的制作裝置，其特征在于，所述丁烷高溫噴槍（111）和光纖切割刀（105）能交替安裝在電位移平臺（106）上。

4.根據權利要求2所述的高階模F-P干涉的高溫探針傳感器的制作裝置，其特征在于，CCD（109）置于光纖切割刀（105）的上方且能移動。

5.根據權利要求2所述的高階模F-P干涉的高溫探針傳感器的制作裝置，其特征在于，還包括普通單模光纖（101），普通單模光纖（101）的兩端分別被所述兩個光纖夾具（104）夾住。

6.根據權利要求5所述的高階模F-P干涉的高溫探針傳感器的制作裝置，其特征在于，所述普通單模光纖（101）為SMF-28e單模光纖。