[發明專利]一種改善多晶硅表面平坦度的方法

有效

• 申請號: 201710684869.6
• 申請日: 2017-08-11
• 公開（公告）號: CN107393832B
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發明（設計）人: 方宏
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/786
• 代理公司: 深圳匯智容達專利商標事務所(普通合伙) 44238
• 代理人: 潘中毅;熊賢卿

1.一種改善多晶硅表面平坦度的方法，其特征在于，包括下述步驟：

在柔性基板上鍍上緩沖層；

在所述緩沖層上依次沉積SiNx層、SiOx層、非晶硅層；

采用氟化氫溶液和臭氧水溶液對所述非晶硅層的表面進行清洗，再對所述非晶硅層的表面采用準分子激光退火處理，制備得到多晶硅層；

通過涂布機在所述多晶硅的表面涂布光阻，對多晶硅表面的光阻進行曝光處理，采用弱光束進行曝光，使得每次被曝光的光阻厚度較小，再采用顯影液對多晶硅表面進行顯影處理，去除其表面感光光阻；如果多晶硅表面的突起部分沒有被暴露出來，則繼續對多晶硅表面的光阻采用弱光束進行曝光處理，曝光后再采用顯影液進行顯影處理，直至多晶硅表面的突起部分被暴露出來，而且平坦區域被光阻覆蓋；

其中，所述光阻的厚度范圍為5000~10000埃米，所述顯影液中的顯影劑濃度范圍為0.5%~2.5%；

對所述多晶硅層表面的突起部分進行刻蝕。

2.根據權利要求1所述的改善多晶硅表面平坦度的方法，其特征在于，所述緩沖層包括SiNx層和/或SiOx層。

3.根據權利要求1所述的改善多晶硅表面平坦度的方法，其特征在于，所述緩沖層上沉積的SiNx層、SiOx層、非晶硅層的厚度范圍依次為：400~700埃米、2000~4000埃米、400~700埃米。

4.根據權利要求1所述的改善多晶硅表面平坦度的方法，其特征在于，在所述緩沖層上依次沉積SiNx層、SiOx層、非晶硅層具體為：

通過等離子體增強化學的氣相沉積工藝在所述緩沖層上依次沉積SiNx層、SiOx層、非晶硅層。

5.根據權利要求1所述的改善多晶硅表面平坦度的方法，其特征在于，在所述緩沖層上依次沉積SiNx層、SiOx層、非晶硅層之后還包括下述步驟：

去除所述非晶硅層中的氫。

6.根據權利要求1所述的改善多晶硅表面平坦度的方法，其特征在于，所述氟化氫溶液中氟化氫的濃度范圍為0.5%~1%，所述臭氧水溶液中臭氧的含量為15ppm~25ppm。

7.根據權利要求1所述的改善多晶硅表面平坦度的方法，其特征在于，對所述多晶硅層表面的突起部分進行刻蝕具體包括：

將氯氣和/或氟類氣體進行電離，得到蝕刻氣體，通過所述蝕刻氣體對所述多晶硅表面的突起部分進行刻蝕。

8.根據權利要求2所述的改善多晶硅表面平坦度的方法，其特征在于，所述緩沖層所包括的SiNx層和SiOx層的厚度范圍依次為：500~1000埃米、3000~6000埃米。

9.根據權利要求5所述的改善多晶硅表面平坦度的方法，其特征在于，在430~490℃范圍內去除所述非晶硅層中的氫。