[發(fā)明專利]一種應(yīng)用于柔性顯示領(lǐng)域的OFET器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710683714.0 | 申請日: | 2017-08-11 |
| 公開(公告)號: | CN109390468B | 公開(公告)日: | 2021-01-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳卉 | 申請(專利權(quán))人: | 電子科技大學中山學院 |
| 主分類號: | H01L51/05 | 分類號: | H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司: | 成都時譽知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 51250 | 代理人: | 沈成金 |
| 地址: | 528402 *** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 應(yīng)用于 柔性 顯示 領(lǐng)域 ofet 器件 | ||
1.一種應(yīng)用于柔性顯示領(lǐng)域的有機場效應(yīng)晶體管(OFET),其特征在于,包括:作為柔性襯底的透明聚合物PET,在PET上蒸鍍鋁作為柵電極,旋涂聚合物甲基丙烯酸甲酯(PMMA)溶液作為介電層,蒸鍍有機小分子材料并五苯(pentacene)及有機材料環(huán)已基二[N,N(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)作為有機層,所述有機小分子材料并五苯和有機材料環(huán)已基二[N,N(4-甲基苯基)苯胺]交替形成層狀結(jié)構(gòu),且并五苯與環(huán)已基二[N,N(4-甲基苯基)苯胺]按照10nm:l nm-10 nm:2 nm的比例蒸鍍,有機層的總厚度為65-70 nm,最后蒸鍍金屬金(Au)作為源漏電極,為了進一步提高載流子的傳輸能力,定制不同溝道寬長比的源漏電極掩膜板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用于柔性顯示領(lǐng)域的有機場效應(yīng)晶體管(OFET),其特征在于,所述的柔性襯底聚對苯二甲酸乙二醇酯PET,尺寸是30 mm*30 mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用于柔性顯示領(lǐng)域的有機場效應(yīng)晶體管(OFET),其特征在于,作為柵電極的鋁薄膜的厚度為60-100 nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用于柔性顯示領(lǐng)域的有機場效應(yīng)晶體管(OFET),其特征在于,所述的介電層厚度200-800 nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用于柔性顯示領(lǐng)域的有機場效應(yīng)晶體管(OFET),其特征在于,所述有機層厚度50-100 nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用于柔性顯示領(lǐng)域的有機場效應(yīng)晶體管(OFET),其特征在于,作為源漏電極的金屬金薄膜的厚度為60-100 nm,源漏電極間距20-200 μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用于柔性顯示領(lǐng)域的有機場效應(yīng)晶體管(OFET),其特征在于,實驗中定制了9個不同溝道寬長比的源漏電極掩膜板,寬度1000 μm-2000 μm,長度50 μm-200 μm。
8.如權(quán)利要求1-6中任一項所述的一種應(yīng)用于柔性顯示領(lǐng)域的有機場效應(yīng)晶體管(OFET)的制備方法,其特征在于,該方法采用以下步驟:
a)柔性襯底PET處理:使用無塵布加丙酮擦拭基片,用洗潔精超聲15分鐘,用丙酮超聲15分鐘,用去離子水超聲15分鐘,用乙丙醇超聲15分鐘,用純氮氣烘干;
b)將PET襯底放在樣品架上,放入有機光電子器件超高真空制備系統(tǒng)(QX-500),輝光處理5-10 min;
c)在真空度不低于10-4 Pa的真空環(huán)境下將AL熱蒸鍍到PET上形成柵電極;
d)用甲醛溶液溶解聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA),配置好的溶液旋涂在AL柵電極上;
e) 在真空度不低于10-4Pa的真空環(huán)境下以10 nm/(1-2) nm的比例交替蒸鍍有機小分子材料并五苯(pentacene)及有機材料環(huán)已基二[N,N(4-甲基苯基)苯胺](TAPC),形成體異質(zhì)結(jié);
f)在真空度不低于10-4Pa的真空環(huán)境下將Au熱蒸鍍到有機層上形成源漏電極,得到有機場效應(yīng)晶體管(OFET)。
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