[發(fā)明專利]一種多量子阱空間GaInP/InGaAs/Ge電池外延片的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710683629.4 | 申請日: | 2017-08-11 |
| 公開(公告)號: | CN107316909A | 公開(公告)日: | 2017-11-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 萬智 | 申請(專利權(quán))人: | 南昌凱迅光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0352 | 分類號: | H01L31/0352;H01L31/0687;H01L31/18 |
| 代理公司: | 江西省專利事務(wù)所36100 | 代理人: | 張靜,張文 |
| 地址: | 330038 江西省南昌市紅谷灘新*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 多量 空間 gainp ingaas ge 電池 外延 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電池外延片的制造方法,尤其是涉及一種多量子阱空間GaInP/InGaAs/Ge電池外延片的制造方法。
背景技術(shù)
GaInP/InGaAs/Ge 三結(jié)太陽能電池由于光電轉(zhuǎn)化效率高、抗輻照性能好等特點目前已成為空間飛行器的主要能源。目前空間用GaInP/InGaAs/Ge 三結(jié)太陽能電池基本采用晶格匹配的的GaInP/InGaAs/Ge結(jié)構(gòu),由于需要GaInP、InGaAs、Ge材料晶格參數(shù)匹配,三種材料的禁帶寬度就固定了。GaInP/InGaAs/Ge三結(jié)電池中Ge材料禁帶寬度較小,覆蓋的光譜較寬,導(dǎo)致其電流密度較大,與InGaAs和GaInP構(gòu)成的電池電流不匹配,這就降低了太陽光的利用率。目前,常規(guī)GaInP/InGaAs/Ge三結(jié)太陽能電池達(dá)到的最高效率32%~33%和理論極限值49%還有很大的差距,提高常規(guī)GaInP/InGaAs/Ge三結(jié)太陽能電池的效率還有很大的空間。
為了改善常規(guī)GaInP/InGaAs/Ge三結(jié)太陽能電池電流不匹配的情況,在電池材料晶格匹配的情況下,引入新材料層,改善帶隙組合是提高常規(guī)GaInP/InGaAs/Ge 三結(jié)太陽能電池效率的一種方法。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種能加寬中電池和頂電池的吸收光譜寬度、改善電池的抗輻照性能、減少復(fù)合、從而提高空間GaInP/InGaAs/Ge外延片的光電轉(zhuǎn)化效率的多量子阱空間GaInP/InGaAs/Ge電池外延片的制造方法。
本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的:
一種多量子阱空間GaInP/InGaAs/Ge電池外延片的制造方法,特征是:在由GaInAs基區(qū)層、發(fā)射區(qū)層、AlGaAs背場層、AlInP窗口層構(gòu)成的中電池中引入GaAsP/GaInAs量子阱層,在由GaInP基區(qū)層、發(fā)射區(qū)層、AlGaInP背場層、AlInP窗口層構(gòu)成的頂電池中引入GaInP/AlGaInP量子阱層,具體步驟如下:
提供一p-Ge襯底,在p-Ge襯底上依次外延生長n-AlGaInP成核層,n-GaAs/ n-GaInAs緩沖層,n++-GaAs/p++-GaAs隧穿結(jié)層,p-AlGaAs/p-AlGaInAs (DBR)反射層,p-AlGaAs 背場層,p-GaInAs基區(qū)層,GaAsP/GaInAs量子阱層,n-GaInAs發(fā)射區(qū)層,n-AlInP窗口層,n++-GaInP/p++-AlGaAs隧穿結(jié)層,p-AlGaInP背場層,p-GaInP基區(qū)層,GaInP/AlGaInP量子阱層,n-GaInP發(fā)射區(qū)層,n-AlInP窗口層和n+-GaAs歐姆接觸層。
襯底材料為p-Ge;n-AlGaInP成核層的厚度為0.01μm,摻雜濃度為1~2×1018cm-3。
n-GaAs/GaInAs緩沖層的厚度為0.5μm,摻雜濃度為≥1×1018cm-3。
n++-GaAs/p++-GaAs隧穿結(jié)層,其中n++-GaAs層的厚度為0.01-003μm,摻雜濃度為≥5×1018cm-3,p++-GaAs層的厚度為0.01-003μm,摻雜濃度為≥1×1019cm-3。
p-AlGaAs/p-AlGaInAs (DBR)反射層的厚度為1.8μm,摻雜濃度為1×1018 cm-3。
p-AlGaAs 背場層的厚度為0.1μm,摻雜濃度為1~2×1018 cm-3。
p-GaInAs基區(qū)層的厚度為0.6μm,摻雜濃度為2~8×1016cm-3。
GaAsP/GaInAs 量子阱層結(jié)構(gòu)共30對,總厚度為1μm。
n-GaInAs發(fā)射區(qū)層的厚度為0.1μm,摻雜濃度為1×1018cm-3。
n-AlInP窗口層的厚度為0.1μm,摻雜濃度為1×1018cm-3。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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