[發明專利]垂直結構薄膜晶體管及其制造方法

有效

• 申請號: 201710682110.4
• 申請日: 2017-08-10
• 公開（公告）號: CN107731928B
• 公開（公告）日: 2020-08-14
• 發明（設計）人: 嚴進嶸
• 申請（專利權）人: 創王光電股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 李昕巍;章侃銥

1.一種垂直結構薄膜晶體管，其包含有：

一基板；

一緩沖層，設置于該基板上，該緩沖層具有一表面，該表面具有一孔洞，該緩沖層于該孔洞內具有一側壁及一底面；

一半導體層，設置于該緩沖層的該表面上，并于該側壁上形成一垂直通道以及于該底面上形成一水平通道，該水平通道電性連接該垂直通道，其中該水平通道包含有：

位于該底面上的第一部分及第二部分，該第一部分及該第二部分沿不同方向延伸；以及

位于該孔洞外的第三部分，其中該第三部分實體連接該垂直通道的第一端，并且該第一部分實體連接該垂直通道的第二端及該第二部分；以及

一柵極電極，設置于該半導體層上。

2.如權利要求1所述的垂直結構薄膜晶體管，其中該半導體層具有二摻雜區，分別位于該半導體層的相對兩側，該柵極電極介于該二摻雜區之間。

3.如權利要求2所述的垂直結構薄膜晶體管，另包含有一源極電極與一漏極電極，分別連接于該二摻雜區。

4.如權利要求1所述的垂直結構薄膜晶體管，另包含有一柵極絕緣層，設置于該柵極電極與該半導體層之間。

5.一種垂直結構薄膜晶體管的制作方法，其包含下列步驟：

步驟S₁：準備一基板；

步驟S₂：形成一緩沖層于該基板上，該緩沖層具有一表面；

步驟S₃：形成一孔洞于該緩沖層的該表面上，該緩沖層于該孔洞內具有一側壁以及一底面；

步驟S₄：形成一半導體層于該緩沖層的該表面上，并于該側壁上形成一垂直通道以及于該底面上形成一水平通道，該水平通道電性連接于該垂直通道，其中該水平通道包含有：

位于該底面上的第一部分及第二部分，該第一部分及該第二部分沿不同方向延伸；以及

位于該孔洞外的第三部分，其中該第三部分實體連接該垂直通道的第一端，并且該第一部分實體連接該垂直通道的第二端及該第二部分；以及

步驟S₅：形成一柵極電極于該半導體層上。

6.如權利要求5所述的垂直結構薄膜晶體管的制作方法，其中步驟S₄與步驟S₅之間另包含有以下步驟：于該半導體層的相對兩側形成二摻雜區，該柵極電極形成于該二摻雜區之間。

7.如權利要求6所述的垂直結構薄膜晶體管的制作方法，其中分別于該半導體層的相對兩側形成該二摻雜區的步驟，另包含有以下步驟：形成一源極電極與一漏極電極，該源極電極與該漏極電極分別連接于該二摻雜區。

8.如權利要求5所述的垂直結構薄膜晶體管的制作方法，其中步驟S₄與步驟S₅之間另包含有以下步驟：形成一柵極絕緣層于該半導體層上，該柵極絕緣層介于該半導體層與該柵極電極之間。