[發明專利]具有讀取閾值估計的存儲器系統及其操作方法

有效

• 申請號: 201710681467.0
• 申請日: 2017-08-10
• 公開（公告）號: CN107731258B
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發明（設計）人: 大衛·皮尼亞泰利;張帆
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C16/26
• 分類號: G11C16/26;G11C16/34
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩;王朋飛

本發明提供一種存儲器系統的設備及其操作方法，該存儲器系統的設備包括：多個存儲器裝置；以及控制器，其聯接到多個存儲器裝置，其中控制器被配置成：至少利用初始讀取閾值執行對稱OVS讀取，并且創建對稱讀取結果；至少利用初始讀取閾值執行非對稱OVS讀取，并且創建非對稱讀取結果；至少根據對稱讀取結果和非對稱讀取結果調整初始讀取閾值，并且創建最佳讀取閾值；以及利用最佳讀取閾值執行數據恢復進程。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2016年8月10日提交的申請號為62/373,242的美國臨時申請的權益，其全部內容通過引用并入本文。

技術領域

本公開的示例性實施例涉及一種存儲器系統及其操作方法。

背景技術

在NAND閃速存儲系統中，讀取參考電壓被用于將NAND閃速存儲器單元的可能閾值電壓范圍劃分成幾個窗口。邏輯值被指定給窗口中的每一個。單元的邏輯值由單元的閾值電壓所在的電壓窗口確定。例如，對于單層單元(SLC)，需要一個讀取參考電壓。當單元的閾值電壓小于指定的讀取參考電壓時，單元的邏輯值被設置為“1”；否則，單元的邏輯值被設置為“0”。對于多層單元(MLC)，使用三個讀取參考電壓。對于三層單元(TLC)裝置，存在七個讀取參考電壓。

由于諸如相鄰單元的編程和讀取操作、編程/擦除周期的數量和保持時間的各種原因，單元的閾值電壓可能與其預期值不同。因此，具有預期值的單元的閾值電壓可能偏移到具有不同邏輯值的另一電壓窗口。在該情況下，當單元被讀取時，錯誤邏輯值被給出并且該錯誤將在原始位錯誤率(RBER)測量中被計數。最佳讀取參考電壓可以實現最小的RBER。

目前，存在用于錯誤校正控制方案的兩種類型的算法，即硬解碼算法和軟解碼算法。對于硬解碼算法，使用表示輸入信息為“0”或“1”的硬信息。然而，軟信息被用于軟解碼算法，該軟信息不僅告知解碼器輸入信息是“0”還是“1”，而且向解碼器提供輸入信息為“0”或“1”的可能性。通常，如果提供軟信息，則軟解碼算法比硬解碼算法提供更好的錯誤校正性能。在NAND閃速存儲系統中，錯誤校正控制方案將首先嘗試硬解碼。當硬解碼失敗時，將使用軟解碼算法。

因此，仍然需要用于讀取閾值估計和調整的存儲器系統及其操作方法。

發明內容

本公開的實施例涉及一種存儲器系統及其能夠定位該存儲器系統的最佳讀取參考電壓的操作方法。

根據本發明的實施例，提供一種存儲器系統的操作方法，其包括：至少利用初始讀取閾值執行對稱OVS讀取，并且創建對稱讀取結果；至少利用初始讀取閾值執行非對稱OVS讀取，并且創建非對稱讀取結果；至少根據對稱讀取結果和非對稱讀取結果調整初始讀取閾值，并且創建最佳讀取閾值；以及利用最佳讀取閾值執行數據恢復進程。

根據本發明的實施例，提供一種包括存儲器系統的存儲器系統的設備及其操作方法，該存儲器系統的設備包括：多個存儲器裝置；以及控制器，其聯接到多個存儲器裝置，其中控制器被配置成：至少利用初始讀取閾值執行對稱OVS讀取，并且創建對稱讀取結果；至少利用初始讀取閾值執行非對稱OVS讀取，并且創建非對稱讀取結果；至少根據對稱讀取結果和非對稱讀取結果調整初始讀取閾值，并且創建最佳讀取閾值；以及利用最佳讀取閾值執行數據恢復進程。

根據本發明的實施例，提供一種存儲器系統，其包括：處理器；有形計算機可讀存儲介質，其聯接到處理器，嵌入由處理器執行的非暫時性計算機編程產品，包括計算機指令，該計算機指令被配置成：至少利用初始讀取閾值執行對稱OVS讀取，并且創建對稱讀取結果；至少利用初始讀取閾值執行非對稱OVS讀取，并且創建非對稱讀取結果；至少根據對稱讀取結果和非對稱讀取結果調整初始讀取閾值，并且創建最佳讀取閾值；以及利用最佳讀取閾值執行數據恢復進程。

附圖說明

通過參照附圖的以下具體實施方式，本發明的以上和其它特征及優點對于本發明所屬領域的技術人員將變得更加顯而易見，其中：