[發明專利]有機脒分子n型摻雜劑及其在半導體光電器件中的應用有效
| 申請號： | 201710678994.6 | 申請日： | 2017-08-08 |
| 公開（公告）號： | CN107501269B | 公開（公告）日： | 2019-06-18 |
| 發明（設計）人： | 周印華;胡林;蔣友宇;劉鐵峰;覃飛;熊思醒 | 申請（專利權）人： | 華中科技大學;深圳華中科技大學研究院 |
| 主分類號： | C07D487/04 | 分類號： | C07D487/04;C07D233/56;C07C259/14;C07C257/12;C07C257/14;C07C257/18;H01L51/30;H01L51/46;H01L51/54 |
| 代理公司： | 華中科技大學專利中心 42201 | 代理人： | 李智;曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 有機 分子 摻雜 及其 半導體 光電 器件 中的 應用 | ||
【權利要求書】：
1.一種有機脒分子n型摻雜劑在半導體光電器件中的應用，其特征在于，所述n型摻雜劑與受體材料混合或者直接將受體材料暴露在n型摻雜劑的蒸汽氣氛中，實現對受體材料的n摻雜后，應用于半導體光電器件，所述半導體光電器件為鈣鈦礦太陽能電池、有機太陽能電池、有機發光二極管和有機場效應晶體管，所述n型摻雜劑為DBU。
2.如權利要求1所述的有機脒分子n型摻雜劑在半導體光電器件中的應用，其特征在于，所述受體材料為PC61BM、N2200或者ITIC。
3.如權利要求1或2所述的一種有機脒分子n型摻雜劑在半導體光電器件中的應用，其特征在于，所述鈣鈦礦太陽能電池的器件結構為：ITO導電玻璃作為電池負極，NiOx作為電池空穴傳輸層，MAPbI3為鈣鈦礦吸光層，n型摻雜劑對受體材料進行n摻雜后作為電池電子傳輸層，金屬Ag作為電池正極。
4.如權利要求1或2所述的一種有機脒分子n型摻雜劑在半導體光電器件中的應用，其特征在于，所述有機場效應晶體管的器件結構為：SiO2為絕緣層，n型摻雜劑對受體材料進行n摻雜后作為n型半導體層，頂部電極Au作為源漏極。
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