[發明專利]閃存的制造方法

有效

• 申請號: 201710677510.6
• 申請日: 2017-08-09
• 公開（公告）號: CN107230678B
• 公開（公告）日: 2020-04-10
• 發明（設計）人: 徐濤;李冰寒;江紅;高超;王哲獻
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/11517
• 分類號: H01L27/11517
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種閃存的制造方法。

背景技術

閃存(Flash)是一種非易失性存儲器，即斷電數據也不會丟失，其具有集成度高、存取速度快、可靠性好、易擦除和重寫等優點，因而在手機、筆記本、個人電腦等移動通訊設備中得到了廣泛的應用。

現有的閃存的制造方法，通常是在半導體襯底上依次形成浮柵氧化層和浮柵層、隔離層、控制柵層和介質層，再采用干法刻蝕去除局部介質層，形成一開口以暴露出控制柵層，為了確保在刻蝕之后沒有多晶硅殘留，通常需要保持足夠的刻蝕時間，形成對控制柵層的過蝕刻，這將導致控制柵層具有彎曲的輪廓，形成字線柵和控制柵之間的控制柵層尖端。在擦除數據時，通常需要在字線柵上較高的正電壓，在控制柵上施加較低的負電壓，最終在字線柵和控制柵之間形成高電場，具有擊穿器件的潛在風險。

發明內容

本發明的目的在于提供一種閃存的制造方法，以解決現有技術中由于對控制柵層進行過刻蝕而產生控制柵層尖端，在擦除數據時，字線柵和控制柵之間形成高電場，容易擊穿器件的問題。

為了達到上述目的，本發明提供了一種閃存的制造方法，包括：

提供襯底，所述襯底上依次形成有浮柵氧化層、浮柵層、控制柵層及介質層；

刻蝕所述介質層形成一開口，以暴露出所述控制柵層；

在所述開口的側壁上形成第一側墻；

刻蝕所述開口內的控制柵層，在此步驟中會由于過刻蝕而形成控制柵層尖端，形成控制柵層尖端；

橫向減薄所述第一側墻以暴露出所述控制柵層尖端；

對所述控制柵層尖端進行氧化處理；

可選的，橫向減薄所述第一側墻以暴露出所述控制柵層尖端的步驟包括：

采用酸液腐蝕的方法減薄所述第一側墻；

采用第一標準清洗液進行清洗；

可選的，所述酸液中含有稀釋的氫氟酸；

可選的，所述第一標準清洗液包括雙氧水、氨水和去離子水；

可選的，采用酸液腐蝕的時間為100s-5min；

可選的，對所述控制柵層尖端進行氧化處理的溫度為700度-1000度；

可選的，對所述控制柵層尖端進行氧化處理的時間為5s-120s；

可選的，在所述開口的側壁上形成第一側墻步驟包括：

在所述介質層上和所述開口的內壁上形成一氧化硅層；

刻蝕以去除所述介質層上和所述開口底壁的氧化硅層，以形成所述第一側墻；

可選的，所述氧化硅層的厚度為1000埃-1500埃；

可選的，對所述控制柵層尖端進行氧化處理之后，所述浮柵的制造方法還包括：

在所述開口內的控制柵層的側壁上形成第二側墻；

以所述第二側墻為掩膜刻蝕所述浮柵層；

形成遂穿氧化層及字線多晶硅層；

可選的，所述浮柵層和所述控制柵層之間形成有一隔離層；

可選的，所述介質層的材料包括氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅中的一種或多種；

可選的，采用干法刻蝕工藝刻蝕所述介質層。

在本發明提供的一種閃存的制造方法中，包括在襯底上依次形成浮柵氧化層、浮柵層、控制柵層以及介質層，刻蝕所述介質層以暴露出控制柵層，再在刻蝕產生的開口側壁上形成第一側墻，以第一側墻作為掩模，刻蝕開口底壁的控制柵層，為了防止控制柵蝕刻以后還有控制柵殘留，一般是對控制柵進行過蝕刻，控制柵層過蝕刻以后會導致控制柵層尖端的產生，橫向減薄所述第一側墻的厚度，使所述第一側墻后退露出控制柵層尖端，對所述控制柵層尖端進行氧化處理，使其鈍化變得圓潤，避免了在擦除數據時，字線柵和控制柵之間形成高電場，控制柵層尖端放電而擊穿器件的問題。

附圖說明

圖1為實施例提供的閃存的制造方法的流程圖；

圖2-圖7為使用所述閃存的制造方法形成的半導體結構的剖面示意圖；

其中，1-襯底，2-浮柵氧化層，3-浮柵層，4-控制柵層，41-控制柵層尖端，5-介質層，6-開口，61-第一側墻，62-第二側墻，7-隔離層。

具體實施方式

下面將結合示意圖對本發明的具體實施方式進行更詳細的描述。根據下列描述和權利要求書，本發明的優點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施例的目的。

參閱圖1，其為實施例提供的閃存的制造方法的流程圖。如圖1所示，所述閃存的制造方法包括：