[發(fā)明專利]藥品自動(dòng)包裝用高阻隔VMCPP薄膜制備方法及藥品自動(dòng)包裝用高阻隔VMCPP薄膜在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710677458.4 | 申請(qǐng)日: | 2017-08-09 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108004519A | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-05-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 曹赤鵬 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 嘉興鵬翔包裝材料有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/56 | 分類號(hào): | C23C14/56;C23C14/20;C23C14/24 |
| 代理公司: | 嘉興啟帆專利代理事務(wù)所(普通合伙) 33253 | 代理人: | 李伊飏 |
| 地址: | 314000 浙江省*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 藥品 自動(dòng) 包裝 阻隔 vmcpp 薄膜 制備 方法 | ||
1.藥品自動(dòng)包裝用高阻隔VMCPP薄膜制備方法,其特征在于:包括如下步驟:將卷筒狀的待鍍CPP薄膜基材裝在真空蒸鍍機(jī)的放卷站上,將CPP薄膜穿過(guò)冷卻輥卷繞在收卷站上,用真空泵抽真空,使蒸鍍室中的真空度為1.2×10
啟動(dòng)薄膜卷繞系統(tǒng),CPP薄膜從放卷站出來(lái)經(jīng)過(guò)等離子處理后再進(jìn)行蒸鍍,當(dāng)薄膜運(yùn)行速度達(dá)到一定數(shù)值后,打開(kāi)擋板使氣態(tài)鋁微粒在移動(dòng)的CPP薄膜基材表面沉積、冷卻即形成一層連續(xù)而光亮的金屬鋁層,
步驟1:基材放卷將基材薄膜按照所需的路徑穿過(guò)各個(gè)導(dǎo)輥,直到收卷,
步驟2:打開(kāi)捕集泵 通過(guò)捕集泵將鍍鋁機(jī)的真空倉(cāng)內(nèi)的水分凝結(jié)為冰,以利于抽真空,
步驟3:抽真空通過(guò)真空泵將蒸鍍室內(nèi)的真空度上升到所需范圍內(nèi),
步驟4:加熱蒸發(fā)舟 按照設(shè)定的功率對(duì)蒸發(fā)舟進(jìn)行加熱,使其能夠進(jìn)行鋁絲的蒸發(fā),
步驟5:送鋁絲 將鋁絲通過(guò)伺服馬達(dá)按設(shè)定的速度送到已經(jīng)加熱的蒸發(fā)舟上進(jìn)行蒸鍍,
步驟6:等離子處理 按照設(shè)定的條件控制電流強(qiáng)度以及等離子物質(zhì)的純度和流量,薄膜在一定的運(yùn)行速度下,對(duì)基材薄膜表面進(jìn)行處理,增加鋁層在薄膜表面的附著牢度,
步驟7: 蒸鍍 將蒸發(fā)舟上的鋁鍍?cè)诨谋∧け砻?,
步驟8:冷卻 鍍鋁后的薄膜通過(guò)冷卻輥進(jìn)行冷卻,
步驟9:收卷 將鍍鋁后的薄膜按設(shè)定的速度收卷成膜卷。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的藥品自動(dòng)包裝用高阻隔VMCPP薄膜制備方法,其特征在于:步驟6中的電流強(qiáng)度為15A~20A。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的藥品自動(dòng)包裝用高阻隔VMCPP薄膜制備方法,其特征在于:所述氧氣流量200sccm~400sccm,所述氬氣流量800sccm~1200sccm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的藥品自動(dòng)包裝用高阻隔VMCPP薄膜制備方法,其特征在于:所述薄膜運(yùn)行速度為12m/s~14m/s。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的藥品自動(dòng)包裝用高阻隔VMCPP薄膜制備方法,其特征在于:所述步驟6中等離子體物質(zhì)為氧氣和氬氣,所述氧氣和所述氬氣的純度為99.9%。
6.如權(quán)利要求1~5任一項(xiàng)所述的藥品自動(dòng)包裝用高阻隔VMCPP薄膜制備方法制備的薄膜,其特征在于:基材CPP薄膜由電暈層、中間層、熱封層三層構(gòu)成,其中電暈層占比20%,中間層占比60%,熱封層占比20%。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜,其特征在于:所述基材CPP薄膜總厚度為25um。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





