[發明專利]一種納米電極、其制備方法和應用

在審

• 申請號: 201710676336.3
• 申請日: 2017-08-09
• 公開（公告）號: CN109390481A
• 公開（公告）日: 2019-02-26
• 發明（設計）人: 劉佳;曹蔚然;梁柱榮
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 黃志云

1.一種納米電極，其特征在于，包括CNTs、AgNWs中的至少一種和功能化氧化石墨烯，且所述功能化氧化石墨烯為含有活性官能團的氧化石墨烯。

2.如權利要求1所述的納米電極，其特征在于，所述活性官能團為-OH、-COOH、-NH₂、-NH-、-NHCONH-、-SH、-CN、-SO₃H、-SOOH、-NO₂、-CONH₂、-CONH-、-COCl、-CO-、-O-、-COS-、-CH＝N-、O＝P(R)₂-、-CHO、-Cl、-Br中的至少一種。

3.如權利要求1所述的納米電極，其特征在于，所述CNTs、所述AgNWs的總質量與所述功能化石墨烯的質量比為3：1～6：1。

4.如權利要求1-3任一項所述的納米電極，其特征在于，所述功能化氧化石墨烯為多巴胺功能化氧化石墨烯、苯乙烯磺酸功能化氧化石墨烯、溴化十六烷三甲基胺功能化氧化石墨烯、巰基乙胺功能化氧化石墨烯、乙酰氯功能化氧化石墨烯、丁酮功能化氧化石墨烯、乙醛功能化氧化石墨烯、乙酸乙酯功能化氧化石墨烯中的至少一種。

5.如權利要求1-3任一項所述的納米電極，其特征在于，所述納米電極為復合電極層，包括用于固定在基板表面的功能化氧化石墨烯層，和層疊結合在所述功能化氧化石墨烯層表面的納米電極材料層，其中，所述納米電極材料層為CNTs層、AgNWs層、CNTs和AgNWs制成的混合材料層中的一種。

6.如權利要求1-3任一項所述的納米電極，其特征在于，所述納米電極由CNTs、AgNWs中的至少一種和功能化氧化石墨烯組成的混合材料制成。

7.一種如權利要求1-4、6任一項納米電極的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供修飾劑材料和氧化石墨烯，將所述修飾劑材料和所述氧化石墨烯在酸性環境中加熱混合反應，制備功能化氧化石墨烯；

將所述功能化氧化石墨烯與CNTs、AgNWs中的至少一種混合處理，得到納米電極復合材料；

將所述納米電極復合材料沉積在基板上，制備得到納米電極。

8.一種如權利要求1-5任一項納米電極的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供修飾劑材料和氧化石墨烯，將所述修飾劑材料和所述氧化石墨烯在酸性環境中加熱混合反應，制備功能化氧化石墨烯；

提供基板，在所述基板上沉積功能化氧化石墨烯，制備功能化氧化石墨烯層；

在所述功能化氧化石墨烯層上沉積納米電極材料層，其中，所述納米電極材料層為CNTs層、AgNWs層、CNTs和AgNWs制成的混合材料層中的一種。

9.一種QLED器件，包括依次結合的陽極、量子點發光層和陰極，其特征在于，所述陽極和/或所述陰極為權利要求1-6任一項所述的納米電極。

10.如權利要求9所述的QLED器件，其特征在于，所述QLED器件還包括空穴功能層、電子功能層中的至少一層。

11.如權利要求10所述的QLED器件，其特征在于，所述空穴功能層由P型偶極子材料制成，所述偶極子材料含有富電子官能團；和/或

所述電子功能層由N型偶極子材料制成，所述偶極子材料含有富電子官能團。

12.如權利要求11所述的QLED器件，其特征在于，所述富電子官能團包括苯基、-O^-、-COO^-、-CO^-、-S^-、-N^-、-P^-、-NH^-、-SO₃^-、-CN中的至少一種。