[發(fā)明專利]一種射頻開關(guān)電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710676240.7 | 申請日： | 2017-08-09 |
| 公開（公告）號： | CN107493094B | 公開（公告）日： | 2020-08-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 戴若凡 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號： | H03K17/041 | 分類號： | H03K17/041 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 射頻 開關(guān)電路 | ||
1.一種射頻開關(guān)電路，包括:
柵極電壓控制模塊，用于建立控制開關(guān)模塊導(dǎo)通或關(guān)斷的柵極控制電壓VCG，所述柵極電壓控制模塊包括擴大N倍后的第一公共偏置電阻以及與所述第一公共偏置電阻并聯(lián)的采用二極管連接自偏置的互補MOS管開關(guān)對；
體極電壓控制模塊，用于建立控制該開關(guān)模塊導(dǎo)通或關(guān)斷的體極控制電壓VCB；
開關(guān)模塊，用于在該柵極控制電壓VCG和體極控制電壓VCB的控制下將射頻輸入信號RFin連接或不連接至射頻輸出端RFout。
2.如權(quán)利要求1所述的一種射頻開關(guān)電路，其特征在于：該柵極電壓控制模塊將第一公共偏置電阻擴大N倍后，與采用互補二極管連接自偏置的NMOS管與PMOS管開關(guān)對并聯(lián)。
3.如權(quán)利要求2所述的一種射頻開關(guān)電路，其特征在于：該柵極電壓控制模塊包括第一NMOS管和第一PMOS管，該第一NMOS管的柵極、體極和漏極、第一PMOS管的柵極、體極和漏極以及第一公共偏置電阻的一端相連組成節(jié)點VCG連接該開關(guān)模塊，該第一NMOS管的源極、第一PMOS管的源極以及該第一公共偏置電阻的另一端相連組成節(jié)點VG。
4.如權(quán)利要求3所述的一種射頻開關(guān)電路，其特征在于：該體極電壓控制模塊將第二公共偏置電阻擴大N倍后，與采用互補二極管連接自偏置的NMOS管及PMOS管開關(guān)對并聯(lián)。
5.如權(quán)利要求4所述的一種射頻開關(guān)電路，其特征在于：該體極電壓控制模塊包括第二NMOS管、第二PMOS管以及第二公共偏置電阻，該第二NMOS管的柵極、體極和漏極、第二PMOS管的柵極、體極和漏極以及第二公共偏置電阻的一端相連組成節(jié)點VCB連接該開關(guān)模塊，該第二NMOS管的源極、第二PMOS管的源極以及該第二公共偏置電阻的另一端相連組成節(jié)點VB。
6.如權(quán)利要求5所述的一種射頻開關(guān)電路，其特征在于：該開關(guān)模塊包括多個級聯(lián)的NMOS管、多個體極偏置電阻、多個柵極偏置電阻以及多個通路電阻。
7.如權(quán)利要求6所述的一種射頻開關(guān)電路，其特征在于：該開關(guān)模塊的N個NMOS開關(guān)依次串聯(lián)級聯(lián)，即射頻輸入信號RFin連接至NMOS管MN的漏極，NMOS管MN的源極連接NMOS管M(N-1)的漏極，NMOS管M(N-1)的源極連接NMOS管M(N-2)的漏極，……，NMOS管M3的源極連接NMOS管M2的漏極，NMOS管M2的源極連接NMOS管M1的漏極，NMOS管M1的源極為射頻開關(guān)的輸出RFout，通路電阻RK連接在NMOS管MK的漏極和源極間，體極偏置電阻RBK的一端連接至NMOS管MK的體端，體極偏置電阻RBK的另一端與該第二NMOS管的體極、漏極和柵極、該第二PMOS管的體極、漏極和柵極以及第二公共偏置電阻的一端相連組成節(jié)點VCB，柵極偏置電阻RGK的一端連接至NMOS管MK的柵極，柵極偏置電阻RGK的另一端與該第一NMOS管的體極、柵極和漏極、該第一PMOS管的體極、柵極和漏極以及第一公共偏置電阻的一端相連組成該節(jié)點VCG。
8.如權(quán)利要求5所述的一種射頻開關(guān)電路，其特征在于：當(dāng)該射頻開關(guān)關(guān)斷時，控制電壓由高切換至低，由于時延，第一及第二NMOS管在建立時間內(nèi)導(dǎo)通，與公共偏置電阻并聯(lián)，加速放電，縮小開關(guān)關(guān)斷時間，電壓建立之后，第一及第二NMOS管關(guān)斷，第一及第二NMOS管電阻大于公共偏置電阻，不影響射頻開關(guān)射頻特性。
9.如權(quán)利要求5所述的一種射頻開關(guān)電路，其特征在于：當(dāng)該射頻開關(guān)開啟時，控制電壓由低切換至高，由于時延，第一及第二PMOS管在建立時間內(nèi)導(dǎo)通，與公共偏置電阻并聯(lián)，加速充電，縮小開關(guān)開啟時間；電壓建立之后，PMOS管關(guān)斷，PMOS管電阻大于公共偏置電阻，不影響射頻開關(guān)射頻特性。
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