[發明專利]一種能同時提高深紫外LED晶體質量和出光效率的方法在審
| 申請號： | 201710676199.3 | 申請日： | 2017-08-09 |
| 公開（公告）號： | CN107623058A | 公開（公告）日： | 2018-01-23 |
| 發明（設計）人： | 甘志銀;嚴晗 | 申請（專利權）人： | 甘志銀 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京紐樂康知識產權代理事務所(普通合伙)11210 | 代理人： | 唐忠慶 |
| 地址： | 430000 湖北省武漢市武昌洪山*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 同時 提高 深紫 led 晶體 質量 效率 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種提高深紫外LED晶體質量和出光效率的方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、在襯底(101)生長表面(103)沉積一層氮化鋁薄膜(104)；
S2、對氮化鋁薄膜(104)進行濕法腐蝕，獲得特定的濕法腐蝕缺陷結構(105)；
S3、在包含有濕法腐蝕缺陷結構(105)氮化鋁薄膜(104)上進行二次外延生長深紫外LED外延薄膜(106)；
S4、通過倒裝芯片工藝制備深紫外LED芯片。
2.如權利要求1所述的提高深紫外LED出光效率的方法，其特征在于，在所述步驟S1中，襯底(101)可采用藍寶石、碳化硅或者氮化鋁等襯底；沉積方法可采用金屬有機物化學氣相沉積（MOCVD）、氫化物氣相外延（HVPE）、等離體增強化學氣相沉積（PECVD）或者濺射鍍膜等方法。
3.如權利要求1所述的提高深紫外LED出光效率的方法，其特征在于：在所述步驟S2中，通過濕法腐蝕將氮化鋁薄膜腐蝕出內六角缺陷結構，濕法腐蝕方法可以采用磷酸、氫氧化鈉溶液或者氫氧化鉀溶液等進行。
4.如權利要求1所述的提高深紫外LED出光效率的方法，其特征在于，在所述步驟S1中，氮化鋁薄膜(104)厚度范圍為300~5000nm。
5.如權利要求1所述的提高深紫外LED出光效率的方法，其特征在于，在所述步驟S2中，刻蝕缺陷結構(105)的刻蝕深度范圍為300~5000nm。
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