[發明專利]高精度壓控電流源電路

在審

• 申請號: 201710676051.X
• 申請日: 2017-08-09
• 公開（公告）號: CN107315439A
• 公開（公告）日: 2017-11-03
• 發明（設計）人: 趙浩華;高志齊;孫伯樂;劉瑜;王怒
• 申請（專利權）人: 常州同惠電子股份有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 常州知融專利代理事務所(普通合伙)32302
• 代理人: 路接洲

1.一種高精度壓控電流源電路，其特征在于：包括基準電壓Vi、運算放大器U1、PMOSFET管Q1、量程電阻Rs、電阻R1和電阻R2；基準電壓V1通過量程電阻Rs連接至運算放大器U1的反相輸入端，基準電壓通過電阻R1連接至運算放大器U1同相輸入端，電阻R1的另一端連接電阻R2的一端，電阻R2的另一端接地，運算放大器U1的輸出端連接至PMOSFET管的柵極，PMOSFET管的源極連接至運算放大器U1的反相輸入端從而構成負反饋路徑，PMOSFET管的漏極作為恒流源的電流輸出端。

2.如權利要求1所述的高精度壓控電流源電路，其特征在于：所述的基準電壓Vi連接到量程電阻Rs的一端和電阻R1的一端，量程電阻Rs的另一端連接運算放大器U1的反相輸入端和PMOSFET管的源極，電阻R1的另一端連接到運算放大器U1的同相輸入端和電阻R2的一端，電阻R2的另一端接地。

3.如權利要求1所述的高精度壓控電流源電路，其特征在于：所述的運算放大器U1的輸出端連接到PMOSFET管的柵極，PMOSFET管的源極連接至運算放大器U1的反相輸入端，PMOSFET管的漏極作為恒流源的電流輸出端，恒流源的負載采用接地連接的方式。

4.如權利要求2所述的高精度壓控電流源電路，其特征在于：基準電壓Vi作為輸出電流的能量的來源，電阻R1和電阻R2對基準電壓Vi起到分壓作用，使得運算放大器U1的同相輸入端電壓低于基準電壓Vi。

5.如權利要求3所述的高精度壓控電流源電路，其特征在于：PMOSFET管對運算放大器U1的進行擴流，同時，運算放大器U1的反相輸出端與通過PMOSFET管的源極連接，使得運算放大器形成閉合負反饋，通過運算放大器控制電流精確度，通過PMOSFET管的轉移特性實現電壓到電流的轉換，電流源精度高性能穩定。