[發明專利]一種液相還原溴酸根的催化劑及其制備方法和應用有效
| 申請號: | 201710675662.2 | 申請日: | 2017-08-09 |
| 公開(公告)號: | CN107376981B | 公開(公告)日: | 2020-04-21 |
| 發明(設計)人: | 鄭壽榮;孫敬雅;許昭怡;萬海勤;韓玉香;侯吉妃;寧欣;劉慧;李明會;張佳潤 | 申請(專利權)人: | 南京大學 |
| 主分類號: | B01J29/03 | 分類號: | B01J29/03;B01J37/02;B01J37/18;C02F1/70 |
| 代理公司: | 南京知識律師事務所 32207 | 代理人: | 韓朝暉 |
| 地址: | 210093 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 還原 溴酸 催化劑 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種液相催化還原溴酸根的催化劑,其特征在于,所述的催化劑為負載型Pd基催化劑Pd/B-C,以C為載體,先通過浸漬法將過渡金屬B以氧化物BOx負載于C上,再通過吸附法將貴金屬Pd選擇性地負載于BOx上,得到所述Pd/B-C催化劑;其中,載體C為等電點小于3.0的氧化硅,過渡金屬B為Ti、Zr或Ce,BOx的等電點大于6.0;所述金屬Pd占催化劑總質量的0.01%~2%,過渡金屬B占催化劑總質量的2%~20%,Pd:B的摩爾比為0.1~0.3:1;
所述催化劑的制備方法包括如下步驟:
1)采用浸漬法,將載體C加入過渡金屬B鹽溶液中,所述的過渡金屬B為Ti、Zr或Ce,浸漬、蒸干后,進行烘干、焙燒,焙燒溫度為300℃-500℃,得到修飾BOx的載體C;
2)采用吸附法,將含有一定量的金屬Pd的鹽溶液的pH值調到3.0~4.0之間,加入步驟1)制備的負載BOx的載體C,攪拌24小時以上;經過過濾、洗滌,烘干,并在H2氛圍下還原,還原溫度為200℃~400℃,獲得所述的Pd/B-C催化劑。
2.根據權利要求1所述的液相催化還原溴酸根的催化劑,其特征在于,所述的載體C選自中孔氧化硅、微孔氧化硅、具有多級結構的氧化硅或無定形氧化硅。
3.一種權利要求1所述的液相催化還原溴酸根的催化劑的制備方法,其特征在于,所述方法包括如下步驟:
1)采用浸漬法,將載體C加入過渡金屬B鹽溶液中,所述的過渡金屬B為Ti、Zr或Ce,浸漬、蒸干后,進行烘干、焙燒,焙燒溫度為300℃-500℃,得到修飾BOx的載體C;
2)采用吸附法,將含有一定量的金屬Pd的鹽溶液的pH值調到3.0~4.0之間,加入步驟1)制備的負載BOx的載體C,攪拌24小時以上;經過過濾、洗滌,烘干,并在H2氛圍下還原,還原溫度為200℃~400℃,即獲得所述的Pd/B-C催化劑。
4.根據權利要求3所述的制備方法,其特征在于,所述金屬Pd鹽為氯鈀酸。
5.根據權利要求3所述的制備方法,其特征在于,焙燒后金屬B的氧化物BOx為TiO2、ZrO2或CeO2,BOx的等電點大于6.0。
6.根據權利要求3所述的制備方法,其特征在于,所述的載體C選自中孔氧化硅、微孔氧化硅、具有多級結構的氧化硅或無定形氧化硅;載體C的等電點小于3.0。
7.一種液相催化還原溴酸根的方法,其特征在于,以權利要求1所述的Pd/B-C為催化劑,在水溶液中對溴酸根進行液相加氫還原,將溴酸根還原為溴離子。
8.根據權利要求7所述的液相催化還原溴酸根的方法,其特征在于,所述催化加氫還原,是在室溫條件下,將溴酸鉀水溶液用HCl調pH值為5.6~6.5;加入催化劑Pd/B-C,攪拌條件下,通入N2氣以去除溶液中存在的氧氣,再通入H2進行催化還原反應。
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