[發(fā)明專利]單步封裝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710675601.6 | 申請日: | 2017-08-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107706117B | 公開(公告)日: | 2021-07-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | K.K.候;J.克拉克;J.麥克勞德 | 申請(專利權(quán))人: | 商升特公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/56 | 分類號(hào): | H01L21/56;H01L21/78;H01L23/31 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 申屠偉進(jìn);鄭冀之 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 封裝 | ||
1.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法,包括:
提供半導(dǎo)體晶片;
在所述半導(dǎo)體晶片之上形成多個(gè)柱狀凸塊;
在所述柱狀凸塊之上沉積焊料,其中所述柱狀凸塊在所述焊料和所述半導(dǎo)體晶片之間;
將所述半導(dǎo)體晶片設(shè)置在載體之上,其中所述柱狀凸塊朝向所述載體定向,其中所述焊料接觸所述載體;
在形成所述柱狀凸塊之后并且當(dāng)所述半導(dǎo)體晶片保持在所述載體之上時(shí),將所述半導(dǎo)體晶片單片化成多個(gè)半導(dǎo)體管芯;以及
在將所述焊料沉積在所述柱狀凸塊之上之后、在將所述半導(dǎo)體晶片單片化之后并且當(dāng)所述半導(dǎo)體晶片保持在所述載體之上時(shí),在所述半導(dǎo)體管芯和柱狀凸塊周圍沉積密封劑,其中所述密封劑的表面與所述焊料的表面共面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中當(dāng)沉積所述密封劑時(shí),所述焊料接觸所述載體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,進(jìn)一步包括:在將所述半導(dǎo)體晶片單片化之前,在所述半導(dǎo)體管芯之間形成溝槽。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其中將所述半導(dǎo)體晶片單片化包括將所述半導(dǎo)體晶片背面研磨至所述溝槽。
5.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法,包括:
提供半導(dǎo)體晶片;
在所述半導(dǎo)體晶片之上形成多個(gè)柱狀凸塊;
在所述多個(gè)柱狀凸塊中的每一個(gè)上形成焊料帽,其中所述焊料帽中的每一個(gè)包括背離相應(yīng)柱狀凸塊定向的平坦表面;
在形成所述多個(gè)柱狀凸塊之后將所述半導(dǎo)體晶片設(shè)置在第一載體之上,其中所述柱狀凸塊背離所述載體定向;
當(dāng)所述半導(dǎo)體晶片保持在所述第一載體之上時(shí),將所述半導(dǎo)體晶片單片化成多個(gè)半導(dǎo)體管芯;
在所述半導(dǎo)體晶片被充分單片化之后,將所述半導(dǎo)體管芯從所述第一載體轉(zhuǎn)移安裝到第二載體,其中所述焊料帽的平坦表面物理接觸所述第二載體;以及
當(dāng)所述半導(dǎo)體管芯保持在所述第二載體上時(shí),在所述半導(dǎo)體管芯周圍沉積密封劑,其中所述密封劑的表面與所述焊料帽的平坦表面共面。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,進(jìn)一步包括:
切穿所述密封劑以分離所述半導(dǎo)體管芯,其中多個(gè)半導(dǎo)體管芯保持通過所述密封劑連接以形成半導(dǎo)體封裝,所述半導(dǎo)體封裝包括所述多個(gè)半導(dǎo)體管芯作為所述半導(dǎo)體封裝內(nèi)的分離的二端子裝置。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,進(jìn)一步包括:
將所述半導(dǎo)體管芯設(shè)置在基板之上,其中所述密封劑接觸所述基板;以及
將所述焊料帽回流到所述基板的導(dǎo)電層上,其中所述焊料帽保持被包含在所述密封劑的開口內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其中將所述半導(dǎo)體晶片單片化包括:
將所述半導(dǎo)體晶片背面研磨;以及
在將所述半導(dǎo)體晶片背面研磨之后,去除所述半導(dǎo)體晶片的在所述半導(dǎo)體管芯之間的部分。
9.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法,包括:
提供半導(dǎo)體晶片;
在所述半導(dǎo)體晶片的第一表面之上形成多個(gè)柱狀凸塊;
在所述柱狀凸塊上形成焊料帽;
在形成所述多個(gè)柱狀凸塊之后將所述半導(dǎo)體晶片設(shè)置在載體上,其中所述焊料帽接觸所述載體;
在所述半導(dǎo)體晶片在所述載體上的情況下,將所述半導(dǎo)體晶片單片化成多個(gè)半導(dǎo)體管芯;
沉積密封劑以覆蓋所述半導(dǎo)體晶片的第一表面和與所述第一表面相對的所述半導(dǎo)體晶片的第二表面,其中所述焊料帽中的每一個(gè)的平坦表面與所述密封劑共面;以及
切穿所述密封劑以將所述半導(dǎo)體管芯分離成多個(gè)半導(dǎo)體封裝,其中來自所述半導(dǎo)體晶片的多個(gè)單片化半導(dǎo)體管芯保持在所述半導(dǎo)體封裝中的單一半導(dǎo)體封裝中通過所述密封劑而連接到彼此。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其中所述焊料帽包括無鉛焊料。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





